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半導體工程
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114年 - 114 地方政府公務特種考試_三等_電子工程:半導體工程#134688
> 申論題
題組內容
四、
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
相關申論題
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
二、何謂變水頭試驗?請詳述此一試驗目的、試驗步驟並推導數據處理所需 相關公式。
#560353
(一) D60
#560354
(二)比重(specific gravity)
#560355
(三)臨界水力坡降(critical hydraulic gradient)
#560356
(四)壓密係數(coefficient of consolidation)
#560357
(五)主動土壓力係數(active earth pressure coefficient)
#560358
(一)C及M
#560359
(二)L及H
#560360
(三)P及W
#560361
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