(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)

題旨分析本題屬於半導體製程與元件物理的...