⑵假設將 1 μm 厚的鋁（Al）薄膜沉積在平坦的場氧化層（field oxide layer）上，先以光阻在其上定義圖案後，再施以電漿蝕刻製程。已知鋁對於光阻之蝕刻選擇比維持在 3，假設有 30%的過度蝕刻，試問在確保鋁金屬上表面不被侵蝕之條件下，所需的最薄光阻厚度為何？（15 分）