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積體電路技術
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99年 - 99 專利商標審查特種考試_二等_電子工程:積體電路製程技術#46998
> 申論題
題組內容
三、
⑵描述ECR二氧化矽(SiO2 )之氧化機構(Oxidation Mechanism)。
相關申論題
⑶並説明與高溫爐乾/濕式(Furnace Dry/Wet)氧化機構之差異。( 20 分)
#161928
四、討論從半導體元件物理觀點,如何製造一個好的歐姆接觸(Ohmic Contact)? ( 20 分)
#161929
⑴説明在砷化鎵(GaAs)中,什麼是點缺陷(Point Defect)?
#161930
⑵為什麼可以容易製 造半絕緣砷化鎵材料?( 20 分)
#161931
⑴ α-D-葡萄糖(α-D-glucopyranose)
#161932
⑵腺苷三磷酸(ATP)
#161933
⑶生物素(Biotin)
#161934
⑷穀胱甘肽(Glutathione,GSH)
#161935
⑸棕櫚酸(Palmitic acid)
#161936
二、試列舉蛋白質體學(Proteomics)的主要應用範圍。(20 分)
#161937
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