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世界近代史研究
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101年 - 101 高等考試_二級_史料編纂:世界近代史研究#44817
> 申論題
一、1832 年,大英政府制定並公布「國會改革法」(the Reform Act of 1832),對日後 的議會民主有重大影響。請說明國會改革法的背景、實際內容與其影響。(25 分)
相關申論題
二、19 世紀末(1880-1890 年代),歐洲藝文界出現了「世紀末」(Fin de siècle)的思 潮,認為當代世界及文化已嚴重衰退,亟須澈底的革新。請問此種概念發生的時代 背景為何?世紀末思潮在文藝作品及人生觀上表現出何種特徵?(25 分)
#148995
三、耶穌會是羅馬公教的一個修會,16 世紀成立以後,致力於對外傳教,許多會士也來 到中國,影響中西文化至鉅。請說明 17 世紀時耶穌會士在華活動的主要內容,並 說明他們在中西文化交流中扮演的角色。(25 分)
#148996
四、何謂「馬歇爾計畫(The Marshall Plan)」?請簡述其形成背景、運作與影響。 (25 分)
#148997
一、⑴請繪出 n 型半導體的電子遷移率(electron mobility)對溫度的關係圖並說明其影 響機制。(10 分)
#148998
⑵蕭特基二極體(Schottky diode)和 pn 二極體都具有整流(rectifying)的特性, 請說明這兩種元件的差異。(10 分)
#148999
二、⑴請說明為什麼直接能隙(direct band gap)的材料可以製作發光的元件,而間接能 隙(indirect band gap)的材料則無法製作發光的元件。(10 分)
#149000
⑵發光二極體(Light-emitting diode)和雷射二極體(Laser diode)都是二極體經通 以順向電流後可將電能轉換為光能的元件,試畫出發光二極體和雷射二極體的發 光功率對電流(Light power-current, L-I)特性曲線圖,並解釋這兩種元件的差異。 (10 分)
#149001
三、⑴請說明為什麼高電子遷移率電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT)元 件會具有比較高的電子遷移率?(10 分)
#149002
⑵ 對 於 金 屬 - 半 導 體 場 效 電 晶 體 ( Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, MESFET)與高電子遷移率電晶體(High-Electron-Mobility Transistor, HEMT),請 說明它們的通道夾止(Channel Pinch-Off)定義。(10 分)
#149003
四、⑴請說明什麼是熱電子(hot electron)?(10 分)
#149004
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