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半導體工程
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96年 - 96 高等考試_三級_電子工程:半導體工程#40380
> 申論題
七、試比較傳統反應性離子蝕刻技術(RIE)與高密度電漿蝕刻(ICP)之不同。(10 分)
相關申論題
⑴乳化聚合法(emulsion polymerization)
#124105
⑵物理氣相沈積法(physical vapor deposition)
#124106
⑶原料藥(active pharmaceutical ingredient)
#124107
⑷共聚合體(copolymer)
#124108
二、⑴試說明二甲基醚(Dimethyl Ether, DME)的應用性質。(10 分)
#124109
⑵試說明由合成氣結合甲醇之製程,製造二甲基醚之主要化學反應方程式。(10 分)
#124110
⑴請說明溶凝膠法之意義。(10 分)
#124111
⑵承⑴,為何可利用此方法製備奈米材料。(10 分)
#124112
四、某化工程序利用空氣,在乾燥器中除去固體成品中所含之水分。空氣進入乾燥器 時之溫度為 327 K,壓力為 100 kPa,露點為 303 K。空氣離開乾燥器時之溫度為 305.2 K,壓力為 100 kPa,露點為 280.2 K。已知水之飽和蒸汽壓在 303 K 時為 4.25 kPa,在 280.2 K 時為 1.02 kPa。此乾燥程序每小時可除去 500 kg 之水分,請計 算每小時空氣進料之莫耳數。(20 分)
#124113
二、請將下文翻譯為中文:(15 分) El presidente estadounidense George W. Bush celebró ayer la muerte del jordano Abu Musab Al Zarqawi, uno de los hombres más buscados en Irak. "Es una victoria en la guerra global contra el terrorismo, y es una oportunidad para el nuevo Gobierno iraquí de volver página en esta lucha". Señaló Bush, quien destacó que la muerte de Al Zarqaui no pone fin a la labor del Ejército estadounidense en Irak ya que es probable "que los terroristas de la red terrorista Al Qaeda continúen sin él, que la violencia sectaria continúe, aunque la ideología del terror haya perdido uno de sus líderes más visibles y agresivos"
#124115
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