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半導體工程
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97年 - 97 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40290
> 申論題
七、請說明磊晶與鍍膜之差異。（10 分）
相關申論題
⑴污泥齡
#123353
⑵污泥容積指標（SVI）
#123354
⑶污泥密度指標（SDI）
#123355
⑷有機負荷（F/M）
#123356
⑸容積負荷（F/V）
#123357
⑹迴流污泥濃度（XR）
#123358
⑺曝氣時間（t）
#123359
二、承上題，初沉池之 SS 與 BOD 去除率為 60%及 30%，活性污泥槽之 BOD 去除率為 85%，活性污泥生長係數為 0.45，請問每日之廢棄活性污泥量為多少公斤？（20 分）
#123360
三、請依據我國之土壤及地下水污染整治法，說明何謂土壤？何謂土壤污染？何謂污染 控制場址？（10 分）
#123361
四、請建議 適當之現地整治（in situ remediation）系統，以有效處理該場址之污染問題。（15 分）
#123362
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