三、⑴已知一 p 通道場效電晶體（JFET），其自給偏壓（假設 VGS= 5 V）之電路參數為：IDSS = 25 mA 且 VGS（off）= 15 V、VGS= 5 V，試求其源極電阻（RS）值。（10 分）

四、考慮如圖 2 之金氧半電晶體（NMOS）電路（忽略通道長度調變效應，即λ = 0），其電路參數：VDD = -VSS = 2.5 V、Vt= 1 V、μn Cox = 60 μA/V2 、 W/L = 120 μm/ 3 μm。為使電晶體操作在 ID = 0.3 mA、VD = +0.4 V 時，試計算所需 RD及 RS之電阻值。（20 分）