三、如圖所示之均質圓盤（質量 m）在邊緣 O 點處由一軸承（無摩擦）懸掛， 當此圓盤由圖示水平位置從靜止釋放，試求圓盤釋放瞬間之角加速度與軸承之反力。（20分）

四、如圖所示之組合桿件由鋼（Steel）製與黃銅（Brass）製實心圓柱所串接 組成，在不受力下剛好可塞入固定長度之剛性間隙 AE 內並於兩端焊接 固定。鋼及黃銅材料之楊氏係數分別為 Es = 200 GPa、Eb = 105 GPa，試 求在 B、D 處施加圖中所示負載後，A、E 處分別之反力及 C 點處之變形 位移量。（20分）

五、如圖所示之簡支樑承受集中負載，試求在 n-n 截面上之最大橫向剪應力。（20分）  

一、The system of international priority right under patent law originates from Paris Convention for the Protection of Industrial Property (the Paris Convention). Since Taiwan joined the World Trade Organization (the WTO), Taiwan Patent Act has directly found the support from the Agreement on Trade-Related Aspects of Intellectual Property Rights (the TRIPS Agreement) to implement such the system. Please elaborate the system of international priority right according to Article 28 of Taiwan Patent Act, in terms of definition, legislative purpose, and examination of patentability.（30分）

二、Please translate the following opinion of the Supreme Administrative Court in English: 關於系爭專利說明書是否符合明確且充分揭露而可據以實現要件之 審查，係指說明書應明確且充分記載申請專利之發明，記載之用語亦 應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請 專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過 度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利之發明，解決問 題，並且產生預期的功效。（20分）

一、圖一電晶體直流增益β = 20，輸出電阻 ro→ ∞，熱電壓（Thermal voltage） VT = 25 mV，主動區 VEB = 0.7 V，飽和區 VEB = 0.7 V 且 VEC = 0.3 V，小訊號 vsig(t) = 0.1 sinωt mV，輸入端電容 Cin → ∞，電感 LB→ ∞。先列式作 直流分析，求算流出電晶體之直流電流 IB與 IC、以及流入之直流電流 IE， 判斷電晶體之工作區，再畫出 vo(t)波形。（20 分）

二、圖二(1)的運算放大器具有理想特性，R1 = R2 = 10 kΩ。正負偏壓為， vs(t)為週期 T 之連續三角波如圖二(2)。先畫出 vo-vs之轉換特性曲線，再 依照 vs(t)波形畫出對應的 vo(t)波形。（20 分）

三、圖三為回授放大器的方塊圖，放大器 A 之開迴路增益（open-loop gain） 為 A = xo/xi，且其輸出電阻為 Ro，在負載(RL)端為電壓取樣（voltage sampling）xo = vo，回授網路的輸出電阻 Roβ → ∞。信號源 xs、回授信號 xf = βxo、以及 A 之輸入 xi = xs – xf 三者可以同樣是電壓 v 或電流 i，畫出 放大器 A 與β網路兩者之輸出端等效戴維寧（Thevenin）或諾頓（Norton） 電路，並據以列式推導此回授放大器輸出電阻 Rof公式。（20 分）

四、圖四無穩態複振器（astable multivibrator）三反相器輸出邏輯“0”與“1”分 別為 0 與+5 V，輸出電阻為零，輸入電阻無限大，輸入低於 2 V 視為 “0”，高於 4 V 視為“1”，電壓介於 2 V 與 4 V 之間時，反相器不改變輸 出。R = 1 kΩ，C = 10 μF。電路圖下方為 v2(t)，畫出對應的 v1(t)波形，並 求算 T1與 T2。ln2 = 0.6931，ln3 = 1.099。（20 分）

五、圖五是 1-bit CMOS 靜態隨機存取記憶體（SRAM）電路，A、B 與 Q 均 為低電位（邏輯 0）或高電位（邏輯 1）的變數，分別表示「非 B」 與「非 Q」。電路中所有 MOS 電晶體已經妥善設計，使 SRAM 可正確操 作於閒置（standby）、寫入（writing）與讀取（reading）三種模式。欲進 入閒置與讀取“Q = 1”兩種模式，分別說明變數 A 與 B 之設定、其順序及理由。（20 分）

一、依據審計準則公報第69號「外部函證」規定，採用外部函證程序時， 查核人員應設計詢證函內容，設計時應考量那些因素（試舉五例）？ （5分）

115年 - 115 關務特種考試_三等_機械工程（選試英文）：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#138918

114年 - 114 專技高考_機械工程技師：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#133710

114年 - 114 公務升官等考試_薦任_機械工程：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#133242

114年 - 114 專技高考_專利師（選試專業英文及工程力學）、專利師（選試專業日文及工程力學）：工程力學#130105

114年 - 114 關務特種考試_三等_機械工程（選試英文）：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#126623

113年 - 113 臺灣菸酒股份有限公司_從業評價職位人員試題_鍋爐：工程力學#132351

113年 - 113 專技高考_機械工程技師：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#123897

113年 - 113 專技高考_造船工程技師：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#123895

113年 - 113 專技高考_專利師（選試專業英文及工程力學）、專利師（選試專業日文及工程力學）：工程力學#122211

113年 - 113 關務特種考試_三等_機械工程（選試英文）：工程力學（包括靜力學、動力學與材料力學）#119496