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112年 - 112 高等考試_三級_電子工程、電信工程:電磁學#115766
> 申論題
二、如圖二所示,上下平板均為邊長 a 之正方形導體,上平板有非常小的傾斜角度θ,兩平板左邊之最短距離為 h,假設平板面積夠大使得邊緣效應可以忽略,試求電容 C 之大小。(25 分)
相關申論題
(一)計算空腔內未填充任何材料情況下的最低共振頻率。(15 分)
#494929
(二)若有一電性材料填滿整個空腔,此電性材料不導電。若測得之最低共振頻率為 3 GHz,求此電性材料之介質常數。(10 分)
#494930
(一)寫出入射平面諧波之電場相量Ei與磁場相量Hi 、反射平面諧波之電場相量Er與磁場相量Hr及穿透平面諧波之電場相量Et與磁場相量Ht的表示式。(15 分)
#494931
(二)列出在兩介質交界處之電場及磁場的邊界連續條件。(5 分)
#494932
(三)求解上述邊界條件,得出反射係數Γ及穿透係數τ的表示式。(5 分)
#494933
一、矩形脈衝(Rectangular Pulse)x(t)定義如下: 考慮一線性濾波器,其脈衝響應(Impulse Response)如下: h(t) = x(T − t) 將該矩形脈衝輸入至該濾波器,求出該濾波器輸出,並畫出濾波器輸出波形。(25分)
#494934
(一)畫出AM波封檢測器(Envelope Detector)電路圖。(5分)
#494935
(二)畫出DSB-SC同調接收器(Coherent Receiver)方塊圖。(5分)
#494936
(三)描述DSB-SC傳輸與AM傳輸相比的優點和缺點。(15分)
#494937
(一)以弧度(Radians)計算出相位偏移(Phase Deviation)。
#494938
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