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114年 - 114 高等考試_二級_電子工程:電子元件#131605
> 申論題
五、說明短通道效應對於金屬氧化物半導體場效應電晶體的⑴導通電流(
);⑵截止電流(
);⑶臨界電壓(
);⑷次臨界擺幅(SS);以及⑸汲極導致位障下降(DIBL)之影響。
相關申論題
(一)試運用羅斯赫維茲準則(Routh-Hurwitz Criterion) ,判定是否其極點皆 穩定且位於左半開平面。
#554265
(二)試運用羅斯赫維茲準則輔以變數變換,判定是否所有極點皆位於 s =-2 之左半開平面。
#554266
(一)試求出轉移函數(transfer function)。
#554267
(二)若β( s )=(s+2)、η(s)=(s+1)、α(s)=γ(s)=m=1、n=0,系統輸出Y(s) 能成功排除干擾訊號D(s)=,試判定 k 之最大值。
#554268
(一)試求出此閉迴路系統之特性方程式(characteristic equation)。 (5 分)
#554269
(二)試運用根軌跡(Root Locus)法分析 k 自 0 至∞之根軌跡,計算並標示 k = 0 時之出發角(departure angle)、k=∞時之到達角(arrival angle)、 虛軸交點(imaginary axis crossing)、分離點(breakaway/break-in points) 及其對應之 k 值與座標。(15 分)
#554270
(三)試繪出k自0至∞之根軌跡並判定閉迴路系統穩定之 k 值範圍。 (10 分)
#554271
(一)試繪出此開迴路系統之波德圖(Bode plot)。 (10 分)
#554272
(二)試繪出此系統之奈奎斯特圖(Nyquist plot)。(10 分)
#554273
(三)試運用奈奎斯特法則(Nyquist stability criterion),判定此系統之穩定度。 (10 分)
#554274
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