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放射物理學
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112年 - 112 高等考試_三級_輻射安全:放射物理學#115771
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八、請解釋何謂氧增強比(Oxygen Enhancement Ratio, OER),並繪圖說明其與不同直線能量轉移(LET)輻射之關係。 (10分)
詳解 (共 1 筆)
Goal
詳解 #5888952
2023/07/19
(共 1 字,隱藏中)
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相關申論題
(一)二極體的空乏區(Depletion Region)形成的原因。
#494998
(二)空乏區的內建電位(Built-in potential)的來由。
#494999
(一)初始電流io為零,S1 與 S3 同為高電位,S2為低電位時,說明電流路徑且推導輸出電流io(t)。
#495000
(二)初始電流為 io=10 A, S1、S2與S3同為低電位,說明電流路徑且繪製輸出電流io波形,須標示時間終止時之電流,0 ≤ t≤2✖10-4sec。
#495001
(一)當正極(A)連接在一個100 VDC電壓源正電壓端,且負極(B)連接在10 Ω電阻負載一側,電阻負載另一側接該100 VDC電壓源負電壓端,試繪製該npnp四層結構元件之等效電路與電壓源及負載之電路,並說明 vG 之電壓對該元件導通與否之影響。
#495002
(二)當負極(B)連接在一個100 VDC電壓源正電壓端,且正極(A)連接在 10 Ω電阻負載一側,電阻負載另一側接該100 VDC電壓源負電壓端,試繪製該npnp四層結構元件之等效電路與電壓源及負載之電路,並說明vG之電壓對該元件導通與否之影響。
#495003
(一)繪製並推導該單位增益緩衝器Vo ( jω ) / Vin ( jω) 的頻率響應。
#495004
(二)求取其在10MHz之增益與相位角。
#495005
(一)於NMOS開始導通後排出800 pF電容內的99%電荷所需時間。
#495006
(二)推導NMOS開始關閉至下一次NMOS開始導通之輸出電壓 vo 時間響應函數,並計算最高輸出電壓 vo 。
#495007
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