題組內容

三、在離子佈植製程中，若以 1000 keV 的能量，將 1015/cm2 的硼劑量（boron dose）植 入一 n 型 Si 中（設 Si 之摻雜濃度為 1015/cm3），又植入之硼離子的濃度分佈如圖 一所示，試問：（每小題 10 分，共 20 分）

⑵設入射硼離子的平均投影範圍（projected range，Rp）為 1.756 μm，而投射游走 （projected straggle，ΔRp）為 0.1364 μm，試計算圖一中接面深度（junction depth） xj1 與 xj2 各為何？