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研究所、轉學考(插大)◆海洋地質學
研究所、轉學考(插大)◆氣候學
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最新試卷
115年 - 115 關務特種考試_三等_機械工程(選試英文):自動控制#138983(11題)
115年 - 115 關務特種考試_三等_化學工程(選試英文):有機化學#138982(19題)
115年 - 115 身心障礙特種考試_三等_統計:資料處理#138981(11題)
115年 - 115 關務特種考試_三等_資訊處理(選試英文):資料結構#138980(10題)
115年 - 115 身心障礙特種考試_三等_資訊處理:資料結構#138979(8題)
115年 - 115 關務特種考試_四等_關稅會計(選試英文):會計學概要#138978(13題)
115年 - 115 身心障礙特種考試_三等_統計:統計學#138977(19題)
115年 - 115 關務特種考試_三等_關稅統計(選試英文):抽樣方法#138976(14題)
115年 - 115 關務特種考試_三等_化學工程(選試英文):物理化學(包括化工熱力學)#138975(19題)
115年 - 115 身心障礙特種考試_四等_資訊處理:計算機概要#138974(40題)
最新試題
50. 下方所列之化學反應是由何種酵素催化? 琥珀酸 + ATP + CoA ≙ 琥珀酸醯 CoA (A) 結合/連接酶 (B) 異構酶 (C) 轉移酶 (D) 製解/解離酶
49. 下列有關細菌生長時期之順序描述,何者正確? (A) 遲滯期 → 對數期 → 靜止期 → 死亡期 (B) 靜止期 → 遲滯期 → 對數期 → 死亡期 (C) 遲滯期 → 靜止期 → 對數期 → 死亡期 (D) 對數期 → 遲滯期 → 靜止期 → 死亡期
48. 台灣於 2010 年發生真空包裝豆乾之中毒事件,與下列何種微生物有關? (A) 肉毒桿菌 (B) 大腸桿菌 (C) 唐菖蒲伯克氏菌 (D) 金黃色葡萄球菌
最新申論題
5. 試述依據「海洋污染防治法」第33條第一項:當船舶發生海難或因其他意外事件,致污染海域或有污染之虞時,船長及船舶所有人應立即採取之措施為何?
4. 船舶火災撲滅作業,一般分為幾個階段,試述之。
3. 試述撲滅B類火災的三基本原則為何?
最新課程
性別平等教育法
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【站僕】摩檸Morning.
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民法 總則
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民法 總則
最新主題筆記
第31條
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【國考助手】2025警察法規(下冊):行政執行法、社會秩序維護法
章節:
社會秩序維護法 第一編(總則):第四章 時效 §31~§32
描述:
第31條(訊問處罰之時效)
第32條
課程:
【國考助手】2025警察法規(下冊):行政執行法、社會秩序維護法
章節:
社會秩序維護法 第一編(總則):第四章 時效 §31~§32
描述:
第32條(執行處罰之時效)
第33條
課程:
【國考助手】2025警察法規(下冊):行政執行法、社會秩序維護法
章節:
社會秩序維護法 第二編(處罰程序):第一章 管轄 §33~§38
描述:
第33條(土地管轄)
最新討論
47.下列那些患者不適宜使用aspirin作手術後止痛?①氣喘病患 ②腎功能不良病患 ③授乳中之婦女 (A)僅①② (B)僅②③ (C)僅①③ (D)①②③
72.造成下顎左側向滑動的中心關係干擾(CR interferences)產生的位置,下列敘述何者完全正確?①左側上顎 頰側咬頭舌側斜面接觸左側下顎頰側咬頭頰側斜面 ②左側上顎舌側咬頭舌側斜面接觸左側下顎舌側咬頭頰 側斜面 ③右側上顎舌側咬頭舌側斜面接觸右側下顎舌側咬頭頰側斜面 ④右側上顎頰側咬頭舌側斜面接觸 右側下顎頰側咬頭頰側斜面 (A)①② (B)③④ (C)①③ (D)②④
71.有關中藥葛根之敘述,下列何者錯誤?(A)基原植物之科別為 Fabaceae (B)多為栽培,臺灣產品質優良,產量多 (C)主成分為 lignans 類,具有改善心血管與腦血管循環作用 (D)為辛涼解表藥
11. 塑膠製洗鼻器及洗鼻鹽包組成之洗鼻器組,應歸列那一稅則號別? (A)第 3824.99.99 號「其他化學或相關工業之未列名化學品及化學製品(包括天然產品混合物)」 (B)第 3924.90.00 號「其他塑膠製家庭用製品及衛生保健或盥洗用具」 (C)第 3926.90.90 號「他塑膠製品及第 3901 至 3914 節之材料製成品」 (D)第 9018.90.80 號「其他第 9018 節所屬之貨品」(內科用之用具)
12. 以塑膠基材且均勻塗佈磨料及矽膠彈性體之探針卡用清潔片,供晶圓測試臺上清除、磨光探 針並黏附碎屑,應歸列稅則那一節? (A)第 3919 節「塑膠製自粘性板、片、薄膜、箔、帶、條及其他平面形狀,不論是否成捲者」 (B)第 4016 節「其他硫化橡膠製品,硬質橡膠者除外」 (C)第 6805 節「以紡織材料、紙、紙板或其他材料為基材之天然或人造研磨料,不論是否剪裁 或縫合或另經製作者均在內」 (D)第 8486 節「專供或主要供製造半導體晶柱或晶圓、半導體裝置、積體電路及平面顯示器之 機器及器具;本章註十一(丙)所規範之機器及器具;零件及附件」
(一)請詳述使用靜電足跡採取器(Electrostatic Dust Lifter, EDL)採取此類 潛伏灰塵足跡(Dust Prints)的高壓靜電物理學原理?在操作時,高壓 加載、電壓極性(正負電)與金屬電極/導電膠片的空間排列,如何促 使微量灰塵顆粒發生物理轉印?(13 分)