111年 - 111 台灣糖業股份有限公司_產學合作班新進工員甄試試題_儀電：電子概論#140188

1.下列何種二極體可作為電壓調整電路的參考電壓之用？ (A)稽納二極體 (B)發光二極體(C)光電二極體 (D)整流二極體

2.某 PN 二極體溫度為 200°K 時，逆向飽和電流為 1 μA，若溫度增加至 300 °K 時，請問此時的逆向飽和電流為多少？ (A) 100 μA (B) 200 μA(C) 1024 μA (D) 2014 A

3.如【圖 3】所示電路，若二極體無障壁電壓，求流經電阻的電流(I)為何？ (A) 0 A (B) 0.67 mA (C) 1 mA (D) 1.5 mA

4.如【圖 4】所示電路，若輸入信號 V_i= 12V_P-P，方波，二極體為理想狀態，求輸出電壓 V_o的範圍？ (A) −10V ≤ Ｖ_o ≤ 2Ｖ (B) −12V ≤ Ｖ_o ≤ 2Ｖ(C) −5V ≤ Ｖ_o≤ 52Ｖ (D) −6V ≤Ｖ_o≤ 6Ｖ

5.某雙極性電晶體(BJT)的 α 參數值為 0.995，若流過基極電流為 50 μA，集極飽和電流為 8 mA，求該電晶體在 何區域工作？ (A)飽和區 (B)主動區(C)截止區 (D)逆向區

6.如【圖 6】所示電路，若 V_BE =0.7 V，求 I_C =？ (A) 2.81 mA (B) 3.75 mA(C) 4.52 mA (D) 5.65 mA

7.某 N 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)工作於夾止飽和區，若閘源極電壓 V_GS =6 V，V_GS(t) =2 V， 參數 k = 0.6 mA/V²，求輸出電流(I_D)為何？ (A) 3.6 mA (B) 6.9 mA(C) 9.6 mA (D) 12.9 mA

8.如【圖 8】所示電路，若二極體的障壁電壓(Vk)為 0.7 V，求輸出電壓(Vo)為多少伏特？ (A) 15 V (B) 11 V (C) 3 V (D) 2.3 V

9.如【圖 9】所示為整流濾波電路由示波器測得輸出波形，求漣波因數為何？ (A) 22.2% (B) 14.3%(C) 7.86% (D) 6.41%

10.在串級放大電路中，下列何種耦合方式的低頻響應最好？ (A) RC 耦合 (B)直接耦合(C)變壓器耦合 (D)電感耦合

11.如【圖11】所示電路，若±??? = ±15V，R1=1kΩ，R2=20kΩ，VS=0.5V，求負回授電壓增益AV及輸出電壓Vo為何？ (A) A_v =－20，V_o =－10 V (B) A_v =－19，V_o = 9.5 V(C) A_v = 21，V_o = 10.5 V(D) A_v = 20，V_o = 15 V

12.如【圖 12】所示電路，若±V_CC = ±15V，R₁ =2 kΩ，R₂ =6 kΩ，v_s (t) = 8sin2000tV，求正回授因數值 β 及遲 滯電壓(Hysteresis voltage)VH為下列何者？

(A) β = 0.25，V_H = 7.5 V (B) β = 0.5，V_H = －3.75 V (C) β = 0.75，V_H = 3.75 V (D) β = 1.25，V_H = －3.75 V

13.如【圖 13】所示電路，若±V_CC = ±15V，R₁ =1 kΩ，R₂ =20 kΩ，R₃ =2 kΩ，R₄ =10 kΩ，R_L =200 Ω，V_S =0.1 V， 求總電壓增益 A_VT、第一級輸出電壓 V_o1及負載電流 I_L為何？ (A) A_VT =－100，V_o1 = 10 V，I_L = 50 mA (B) A_VT = 20，V_o1 =－2 V，I_L = 5 mA (C) A_VT =－100，V_o1 = 2 V，I_L = 50 mA (D) A_VT = 100，V_o1 =－2 V，I_L = 50 mA

14.有一個具有 600mAH 之電池，提供一負載電流為 150 毫安培，則電池使用的時間為多久？ (A) 4 分鐘 (B) 40 分鐘(C) 120 分鐘 (D) 240 分鐘

15.有一電容器，當其極板面積增為原來的一倍，且其極板間距減為原來的一半，則其電容量為原來的幾倍？ (A) 4 倍 (B) 2 倍(C) 1/2 倍 (D) 1/4 倍

16.有兩線圈其自感量分別為 0.2 mH 及 0.8 mH，若其耦合係數為 0.8，則兩線圈的互感為多少？ (A) 0.16 mH (B) 0.32 mH(C) 0.8 mH (D) 1.28 mH

17.在 RLC 串聯電路中，當電源頻率由 0 逐漸增至諧振頻率時，電路之電流將如何變化？ (A)先增後減 (B)先減後增(C)不會改變 (D)逐漸增加

18.有一 RC 串聯電路，電源電壓為V(t) = 100sin ωt伏特，電流為i(t) = 5sin(ωt + 30°)安培，則此電路的虛 功率為多少？ (A) 250 VAR (B) 250VAR(C) 500 VAR (D) 1000 VAR

19.一放大器的輸入電壓是 10 mV，輸出電壓是 1V，則該放大器的放大增益為多少？ (A) +100 dB (B) +40 dB(C) +20 dB (D) −40 dB

20.有一交流波形頻率為 40Hz，當交流波形完成 5 週時所需的時間為多少？ (A) 0.025 秒 (B) 0.125 秒(C) 0.2 秒 (D) 0.4 秒

21.如【圖 21】所示，OPA 視為理想，當 R1＝2 kΩ，R2＝1 kΩ，R3＝5 kΩ，R4＝1 kΩ，則 Vo＝？ (A) 2 V (B) 3 V (C) 6 V (D) 9 V

22.如【圖 22】所示，求電流 I 為多少？(A) 1 A (B) 2 A(C) 4 A (D) 8 A

23.如【圖 23】所示，從左側看入的總電阻 R 等於多少？ (A) 1 Ω (B) 2 Ω(C) 2.2 Ω (D) 3 Ω

24. RC 串聯電路中，當電源頻率為 f 時，此串聯電路的總阻抗為 5‐j10 Ω，若電源頻率變為 2f 時，則此串聯電路 的總阻抗變為多少？ (A) 10‐j5 Ω (B) 10‐j20 Ω(C) 5‐j5 Ω (D) 5‐j20 Ω

25.某工廠負載為 3 kW 接於 110 伏特 60 Hz 電源，功率因數為 0.6 滯後，今功率因數欲提昇至 0.8 時，需並聯之 電容量約為多少？ (A) 235 μF (B) 384 μF(C) 550 μF (D) 876 μF

26.在雙極性電晶體偏壓電路中，溫度會影響下列何者使工作點而改變？ (A)射極旁通電容器(C_E)的大小 (B) β 參數 (C)電晶體的漏電流(ICO) (D)基射極電位(V_BE)

27.如【圖 27】所示電路，有關雙極性電晶體放大電路元件功能，下列敘述何者正確？
(A) C_i為交連(耦合)電容，目的在阻隔直流信號，耦合交流信號 (B) C_o為交連(耦合)電容，目的在增加電壓增益 (C) C_E為射極旁通電容，目的在提高電壓增益 (D) R_E為射極電阻，目的在使電路不受溫度影響，穩定靜態工作點

28.在串級放大電路中，下列何者會造成低頻衰減？ (A)電晶體的極際電容 (B)電路板的雜散(分布)電容 (C)耦合電容 (D)旁通電容

29.下列何種振盪電路適用於高頻(1MHZ)振盪？ (A)韋恩電橋振盪電路 (B)考畢子振盪電路(C)哈特萊振盪電路 (D)石英振盪電路

30.如【圖 30】所示電路，若射極電位 V_E =0.7 V，電晶體的 β=99，集射極飽和電壓為 V_CE,sat =0.2 V，下列 敘述何者正確？
(A) I_B =20 μA (B) I_E =2 mA (C) V_C =4.08 V (D)電晶體在飽和區工作

31.某雙極性電晶體(BJT)放大電路中，電壓增益為 100，電流增益為 20，若輸入阻抗為 1 kΩ，則下列敘述何者正確？ (A)該電路為共射極組態放大電路 (B)輸出阻抗為 5 kΩ (C)該電路適合阻抗匹配 (D)功率增益為 2000

32.某場效電晶體(FET)放大電路工作於夾止飽和區，輸出直流偏壓電流 I_DQ = 6 mA，若參數 k = 6 mA/V²，歐力 電壓(Early voltage)VA =60 V，則下列敘述何者正確？ (A)互導參數 g_m =12 mA/V (B)互導參數 g_m =6 mA/V²(C)輸出電阻 r_o =10 kΩ (D)輸出電阻 r_o = 10Ω

33.有兩個交流信號V1(t) = 100sin(377t + 60°)與V2(t) = 80sin(377t + 30°)，下列敘述何者正確？ (A) V1 的峰值電壓為 100 V (B) V1 與 V2 的頻率為 60 Hz (C) V1 信號落後 V2 信號 30 度 (D) V1 的有效值電壓約 70.7 V

34.如【圖 34】所示為多級放大器，已知 Vi=1 mV，Av1=10，Av2=20 dB，Av3=10，下列敘述何者正確？ (A) V1 電壓為 10 mV (B) Vo 電壓為 1 V (C)從輸入 Vi 到輸出 Vo 的總電壓增益為 60 dB (D) V2 電壓為 1 V

35.有關二極體，下列敘述何者正確？ (A)變抗二極體(varactor)的電容 CT的大小與逆向偏壓成正比 (B)二極體的空乏區目的是制止擴散電流 (C) PN 接面二極體的接合面兩側空乏區中具有自由電子與電洞 (D)二極體反向偏壓愈大，則空乏區厚度越大

36.有關影響漣波電壓大小，下列敘述何者正確？ (A)負載電阻愈小，漣波電壓愈小 (B)濾波電容愈大，漣波電壓愈小 (C)輸入頻率愈低，漣波電壓愈大 (D)使用全波整流比半波整流的漣波電壓小

37.以三用電表測量一 PNP 電晶體之好壞，電表置於 R × 1k 檔，且該 PNP 電晶體具有 E 極、B 極、C 極三隻接 腳，則下列何者為不正常之現象？ (A)黑棒接 B 極且紅棒接 C 極時，指針不偏轉，反接指針偏轉 (B)黑棒接 B 極且紅棒接 E 極時，指針不偏轉，反接指針偏轉 (C)黑棒接 E 極且紅棒接 B 極時，指針不偏轉，反接指針偏轉 (D)黑棒接 C 極且紅棒接 B 極時，指針不偏轉，反接指針偏轉

38.如【圖 38】所示，下列敘述何者正確？ (A) I₁=2.5 A (B) I₂=0.5 A (C) I₃=1 A (D) V_x=-3 V

39.如【圖 39】所示，二極體視為理想，下列何者可以符合 Vi-Vo 波形？ (A)甲 (B)乙(C)丙 (D)丁

40.如【圖 40】所示為 MOSFET 放大電路，下列敘述何者正確？ (A) I_D=1 mA (B) V_D=8 V (C)從閘極看入的輸入阻抗 Zi=3 MΩ (D) Av = = −8

（一）輸出電壓 V_o =？【3 分】

（二）輸出電流 I_L =？【2 分】

（三）電源提供多少電流 I_S =？【2 分】

（四）稽納二極體的消耗功率 P_Z =？【3 分】

（一）f = 【3 分】

（二）f = 【3 分】

（三）f =【4 分】