7.某 N 通道增強型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)工作於夾止飽和區，若閘源極電壓 VGS =6 V，VGS(t) =2 V，參數 k = 0.6 mA/V2，求輸出電流(ID)為何？ (A) 3.6 mA (B) 6.9 mA(C) 9.6 mA (D) 12.9 mA

13.如【圖 13】所示電路，若±VCC = ±15V，R1 =1 kΩ，R2 =20 kΩ，R3 =2 kΩ，R4 =10 kΩ，RL =200 Ω，VS =0.1 V，求總電壓增益 AVT、第一級輸出電壓 Vo1及負載電流 IL為何？ (A) AVT =－100，Vo1 = 10 V，IL = 50 mA (B) AVT = 20，Vo1 =－2 V，IL = 5 mA (C) AVT =－100，Vo1 = 2 V，IL = 50 mA (D) AVT = 100，Vo1 =－2 V，IL = 50 mA