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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#35747
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11 在共射極組態放大器中加入射極電阻的好處是:
(A)穩定直流偏壓
(B)增加轉導(Transconductance)值
(C)增加電壓增益
(D)增加電流增益
答案:
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統計:
A(188), B(5), C(27), D(3), E(0) #1028663
詳解 (共 1 筆)
Rascal
B1 · 2017/05/02
#2166542
CE組態加上 RE 穩定直流偏壓在 RE...
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/04
私人筆記#7613962
未解鎖
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12 關於理想轉阻放大器(Transimpedance Amplifier)特性之敘述,下列何者正確? (A)放大器本身之輸入阻抗無限大 (B)放大器本身之輸出阻抗為無限大 (C)放大器本身之輸出阻抗與電流放大器相同 (D)其增益單位為歐姆(Ω)
#1028664
13 某一電晶體的單一增益頻寬(Unity-gain Bandwidth)為 500 MHz,當此電晶體被使用在電壓增益設 計為 50 的放大器電路中,放大器的頻寬約為多少? (A)2 MHz (B)5 MHz (C)10 MHz (D)20 MHz
#1028665
14 有關 BJT 放大器米勒效應(Miller Effect)的敘述,下列何者正確? (A)造成集極電流 iC會隨電壓 vCE之增加而增加 (B)CE 放大器輸入側之等效電容有放大的現象 (C)高頻響應變佳 (D)常發生於共集極(CC)放大器
#1028666
15 電晶體的高頻模型是於電晶體低頻小訊號模型中加入: (A)電晶體內部的電容效應 (B)電晶體內部的電阻效應 (C)電晶體內部的相依電流源效應 (D)電晶體內部的相依電壓源效應
#1028667
16 關於二極體接面之崩潰效應,下列敘述何者正確? (A)相較於雪崩式崩潰(Avalanche Breakdown),曾納崩潰(Zener Breakdown)發生之電壓較高 (B)雪崩式崩潰與曾納崩潰為順向偏壓過大所造成 (C)相較於雪崩式崩潰,曾納崩潰發生在 PN 接面濃度較高之二極體 (D)穩壓二極體多採用雪崩式崩潰效應
#1028668
17 有一波德圖(Bode Plot)線段斜率為 20 dB/decade,即每 10 倍頻率產生 20 dB 的變化,今欲以 dB/octave 表示,亦即每 2 倍頻率的變化量,請計算換算的結果最接近那個值? (A)2 dB/octave (B)4 dB/octave (C)6 dB/octave (D)8 dB/octave
#1028669
18 若運算放大器反相積分器之輸入訊號為方波,則輸出波形為: (A)三角波 (B)方波 (C)餘弦波 (D)正弦波
#1028670
19 在共射(CE)、共基(CB)、共集(CC)、疊接(Cascode)放大器組態中,具有最小頻寬的是: (A)共射放大器 (B)共基放大器 (C)共集放大器 (D)疊接放大器
#1028671
20 通常 P 通道增強型 MOSFET 用為放大器時,閘源極間電壓 VGS必須加: (A)正電壓 (B)負電壓 (C)零 (D)浮接(Floating)
#1028672
21 在室溫下工作在主動模式之 BJT 電晶體,其集極電流 IC=2.5 mA,則其轉導(Transconductance)參 數 gm約為: (A)2.5 mA/V (B)10 mA/V (C)25 mA/V (D)100 mA/V
#1028673
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