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初等/五等/佐級◆電子學大意
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105年 - 105 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#52635
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15 如圖電路,設二極體為理想二極體。I=1 mA,E=10 V,R=10 kΩ,則流經二極體之電流 I
D
為多大?
(A)0 mA
(B)0.5 mA
(C)1 mA
(D)2 mA
答案:
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統計:
A(208), B(26), C(18), D(8), E(0) #1329644
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2016/06/22
#1391209
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私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/11/28
私人筆記#7597675
未解鎖
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相關試題
16 如圖電路為一共源放大器的簡圖,若電晶體之 gm=0.5 mA/V,VA=∞,RD=5 kΩ,則此放大器的電壓 增益 |Av|為: (A)0 (B)2 V/V (C)2.5 V/V (D)∞
#1329645
17 關於下列之放大器,若電晶體操作於飽和區,且電流源為理想,下列敘述何者錯誤? (A)Ibias增加,若電晶體維持操作於飽和區,則其電壓增益越大 (B)Cs=0 則其電壓增益為 0 (C)若 W/L 減少則電晶體可能從飽和區進入三極管區(triode region) (D)若 RD增加則電晶體可能從飽和區進入三極管區(triode region
#1329646
18 如圖的放大器(其偏壓電路未示),若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro,則此放大器的電壓 增益約為何? (A)-gmRC (B)-gm(RC//ro) (C)-RC/RE (D)-ro/RE
#1329647
19 雙極性接面電晶體中,下列何種電路組態其小訊號輸入阻抗為最大? (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態
#1329648
20 若要使一操作於飽和區的 MOS 電晶體的轉導值增為 2 倍,可藉由下列的何種方式改變汲極電流 ID 來達成? (A)將 ID增為 4 倍 (B)將 ID增為 2 倍 (C)將 ID增為 倍 (D)將 ID減半
#1329649
21 有關 BJT 雙極性接面電晶體與 FET 場效電晶體的一般特性比較,下列何者錯誤? (A)BJT 的轉導(Transconductance)gm比 FET 的轉導大 (B)BJT 的輸出電阻 ro比 FET 的輸出電阻小 (C)BJT 的本質增益(Intrinsic Gain)A0比 FET 的本質增益大 (D)BJT 的輸入阻抗 Ri比 FET 的輸入阻抗小
#1329650
22 如圖所示之電路,若 MOSFET 操作在飽和區(Saturation Region)且轉導值(gm)為 1 mA/V,輸出 阻抗(ro)為 10 kΩ,試求 Vo/Vi=? (A)-2.5 (B)-5 (C)-10 (D)-20
#1329651
23 圖示電路,若電晶體 β=100,VBE(on)=0.7 V,電流 IC約為若干 mA? (A) 0.2 (B)0.4 (C)0.7 (D)1.3
#1329652
24 P 通道空乏型 MOSFET 閘極加上正電壓時,其通道導通程度會: (A)減小 (B)加大 (C)無影響 (D)不一定
#1329653
25 如圖電路,設電晶體的 β=100,VBE=0.7 V,則 IC電流約為: (A)19.6 mA (B)9.3 mA (C)0.1 mA (D)0 mA
#1329654
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