16. 以下有關半導體特性之敘述,何者錯誤? (A)具有受體雜質的半導體稱為P型半導體 (B)具有施體雜質的半導體稱為N型半導體 (C) 電子的漂移速度比電洞的漂移速度快 (D)在P型半導體中,電子被稱為多數載子

18. 以下有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述,何者錯誤? (A) 電晶體可作為放大器使用 D TTT (B) 電晶體在主動(active)區時,基極(base)一射極(emitter)接面為反偏(reverse bias),基極-集極(collector)接面為順偏(forward bias) (C) 電晶體在飽和(saturation)區時,基極-射極與基極-集極的兩個接面都是順偏 (D) 電晶體做為開關使用時,是工作在截止(cut-off)區與飽和區。