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初等/五等/佐級◆電子學大意
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93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
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20 關於共源極(Common-Source)NMOS 場效電晶體的簡化小信號等效電路為何?
(A)電壓控制之電流源
(B)電流控制之電壓源
(C)電壓控制之電壓源
(D)電流控制之電流源
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統計:
A(40), B(7), C(10), D(2), E(0) #677833
詳解 (共 2 筆)
jetaineo
B1 · 2018/02/27
#2642923
Vgs 控制 gm*Vgs
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/11/25
#7153522
這是一道關於電子學中 場效電晶體(MOS...
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21 下圖輸入偏壓電流補償電路之關係為何? (A)R1=R2+R3(B)R3=R1+R2(C)R3=R1||R2(D)R2=R1||R3
#677834
22 傳統 CMOS 反及(NAND)閘的連接方式為何? (A)NMOS 串聯,PMOS 並聯 (B)NMOS 並聯,PMOS 串聯 (C)NMOS 串聯,PMOS 串聯 (D)NMOS 並聯,PMOS 並聯
#677835
23 傳統 CMOS 的功率消耗(Power dissipation)敘述何者正確? (A)靜態功率消耗很大 (B)靜態功率消耗≈ 0 (C)動態功率消耗≈ 0 (D)動態功率消耗和頻率成反比
#677836
24 若 NMOS 及 PMOS 之門檻(threshold)電壓分別為 VTN及 VTP,CMOS 傳輸(Transmission)閘傳遞邏輯-0 及邏輯-1 之電壓值為何? (A)邏輯-0=VDD,邏輯-1=0 (B)邏輯-0=VTN,邏輯-1=VDD (C)邏輯-0=0,邏輯-1=VDD (D)邏輯-0=VTN,邏輯-1=VDD-|VTP|
#677837
25 加強型(Enhancement)NMOS 及加強型 PMOS 之門檻(threshold)電壓分別為 VTN及 VTP,下列敘述何者 正確? (A)VTN>0 及 VTP>0 (B)VTN>0 及 VTP<0 (C)VTN<0 及 VTP>0 (D)VTN<0 及 VTP<0
#677838
26 二級之積體電路運算放大器,其頻率補償電路跨接何級? (A)輸出級(B)輸入級(C)偏壓級(D)短路保護電路
#677839
27 下圖為用於變換電容(Switched Capacitor)濾波器之電路,時脈 1 和時脈 2 關係為何? (A)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、可重疊 (B)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、不可重疊 (C)時脈 1 和時脈 2 無關 (D)時脈 1 和時脈 2 頻率不相同
#677840
28 有關放大器輸出穩定時,極點和 S 平面的關係何者正確? (A)極點落在 S 平面第二、三象限(左半面) (B)極點落在 S 平面第一、四象限(右半面) (C)極點落在 S 平面 jω 軸上 (D)極點落在 S 平面σ 軸上
#677841
29 若 NMOS 場效電晶體(FET)之汲極源極電壓 VDS>閘極源極電壓 VGS>門檻(threshold)電壓 Vth,下列何 者正確? (A)電晶體操作在非飽和區(B)電晶體操作在飽和區 (C)電晶體截止(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處
#677842
30 關於場效電晶體(FET)之閘極電容的敘述,下列何者正確? (A)與場效電晶體(FET)閘極之通道長度成反比 (B)與場效電晶體(FET)閘極之通道寬度成反比 (C)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成反比 (D)與場效電晶體(FET)閘極之通道面積成正比
#677843
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