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初等/五等/佐級◆電子學大意
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103年 - 103 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#18075
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21 若下圖電路中之 BJT 電晶體操作於飽和區,下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區(forward active region)?
(A)減小 VCC
(B)加大 VB
(C)加大 RE
(D)加大 RC
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統計:
A(7), B(26), C(101), D(28), E(0) #668216
詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/12/05
#1212029
7
2
私人筆記 (共 1 筆)
Alice
2025/12/20
私人筆記#7654739
未解鎖
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相關試題
22 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素? (A)使用的電晶體型式(B)放大器的負載電容(C)放大器的電壓增益(D)放大器中的耦合電容
#668217
23 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓 VGS為-2.6 V, 汲極電流 ID為 2.6 mA,IDSS為 8 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)VP為-6 V,則此放大器的輸入阻 抗 Zi約為多少? (A)470 kΩ (B)680 kΩ (C)1 MΩ (D)1.8 MΩ
#668218
24 圖示雙極性接面電晶體(BJT)電路,電晶體 β = 100,VBE = 0.7 V,當電路處最佳工作點,則電阻 RB約為若干 kΩ? (A)115 (B)230 (C)460 (D)575
#668219
25 關於 MOSFET 電晶體之輸出阻抗,下列敘述何者錯誤? (A)相同電流且寬長比(W / L)相同之條件下,通道長度越長輸出阻抗越大 (B)固定元件尺寸之條件下,電流越大輸出阻抗越大 (C)電晶體操作在飽和區(saturation)時之輸出阻抗較操作在三極管區(triode region)時之輸出阻抗大 (D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成
#668220
26 已知一 BJT 電晶體之 β = 100,gm = 0.01 A / V,求圖中電路之 Rin值? (A)1 kΩ (B)10 kΩ (C)100 kΩ (D)500 kΩ
#668221
27 如圖電路所示,若電晶體參數 β = 100,Cμ = 2 pF,Cπ = 6 pF,則其高頻-3dB 頻率約為多少 kHz? (A)110 (B)220 (C)330 (D)550
#668222
28 下列對於 MOSFET 共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中,何者錯誤? (A)低-3 dB 頻率與電晶體內部電容無關,而是與外部電容有關 (B)高-3 dB 頻率受到米勒效應的影響而變大 (C)當外部電容愈大,低-3 dB 頻率愈小 (D)在場效電晶體內部電容中,Cgd 對於高-3 dB 頻率的影響最大
#668223
29 一般 MOSFET 單級放大器架構中,小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種? (A)共源極(B)共汲極(C)共閘極(D)具源極電阻之共源極
#668224
30 如圖所示一放大器,外接電容為 CC1、CC2和 CS,MOSFET 的寄生電容為 Cgs 和 Cgd。有關此放大器 電路在中頻的增益(Mid-band gain),下列敘述何者正確? (A)主要是受外接電容的影響 (B)主要是受 MOSFET 寄生電容的影響 (C)受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響程度均相同 (D)均不受外接電容與 MOSFET 寄生電容的影響
#668225
31 下列為一被動式濾波器(Passive filter)。試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡VO / Vi的數 學形式為何?
#668226
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