22 如圖所示電路中場效電晶體（FET）之 V_t = -1 V、μ_pC_ox(W/L)=2 mA/V² ，若 FET 工作在飽和區，且電流 I_D= 1 mA、V_DD=5 V，則電壓 V_G應為若干伏特？

(A) 4.5 V
(B) 4 V
(C) 3.5 V
(D) 3 V

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統計： A(11), B(26), C(16), D(70), E(0) #845954

JIN HUANG(重新出發)

B1 · 2017/01/04

#1575283

1=1(VG-5+1)平方

VG=3V

KEVIN_HUGO

B4 · 2019/03/19

#3252046

5c909c1fc68a6.jpg#s-1024,927

Hodo (Hodo)

B3 · 2018/05/23

#2807803

VDs 不用考慮嗎？能問為何能直接把VD...

(共 27 字，隱藏中）

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22 如圖所示電路中場效電晶體（FET）之 Vt = -1 V、μpCox(W/L)=2 mA/V2 ，若 FET 工作在飽和區，且電 流 ID= 1 mA、VDD=5 V，則電壓 VG應為若干伏特？ (A) 4.5 V(B) 4 V(C) 3.5 V(D) 3 V