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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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112年 - 112 四技二專統測_電機與電子群電機、電資類_專業科目(一):基本電學(實習)、電子學(實習)#114333
> 試題詳解
23. 當連接至三相平衡電壓源之 V 點端子的導線因脫落發生斷路,則電路負載總消耗功率變為多少瓦特?
(A) 1800
(B) 2000
(C) 2400
(D) 3600
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統計:
A(33), B(13), C(27), D(17), E(0) #3104926
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/11/12
#7078000
1. 題目解析 題目描述了一個三相平衡...
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私人筆記 (共 1 筆)
【給你考運】勞贖
2023/05/23
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未解鎖
個人答案試寫,有錯請指導(僅供參考)#補...
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24. 若負載電阻RL為2Ω,則電流I1與I2分別為何? (A) I1=24A、I2=12A (B) I1=12A、I2=12A (C) I1=24A、I2=24A (D) I1=12A、I2=18A
#3104927
25. 若設計負載電阻 RL 以獲得 RL 的最大功率消耗,則負載電阻 RL 與其最大功率 Pmax 分別為何? (A) RL=4Ω、Pmax=900W (B) RL=8Ω、Pmax=1800W (C) RL=8Ω、Pmax=2000W (D) RL=4Ω、Pmax=2400W
#3104928
26. 如圖(十四)所示之週期性電壓v (t),若Vp=10V、T=5ms、t1=3ms,則 v (t)之工作週期 D(duty cycle)與電壓平均值Vav分別為何?(A) D=3ms、Vav=6V (B) D=60%、Vav=6V (C) D=2ms、Vav=4V (D) D=40%、Vav=4V
#3104929
27. 有關半導體材料,下列敘述何者正確? (A) 半導體因電位差產生載子移動而形成擴散電流 (B) 外質半導體中電洞與自由電子的載子濃度相同 (C) P型矽半導體是由本質矽半導體摻雜( doping)三價元素而成 (D) N型半導體多數載子為自由電子,少數載子為電洞,帶負電位
#3104930
28. 如圖 ( 十五 ) 所示電路,稽納二極體 ( Zener diode ) 之崩潰電壓 VZ = 20 V,最大額定功率 320 mW,且其逆向最小工作電流(崩潰膝點電流)IZK=2mA。若忽略稽納電阻,在RL=2kΩ 且正常工作時VO要維持20V,則電壓源VS之最小值及最大值分別為何?(A) 32V、46V(B) 34V、46V (C) 32V、50V (D) 34V、58V
#3104931
29. 有關雙極性接面電晶體(BJT)工作於飽和區之敘述,下列何者正確? (A) BJT之集極電流與基極電流成正比 (B) BJT之集-射極間,猶如開關的導通(ON)狀態 (C) BJT之基-射極接面為順向偏壓且基-集極接面是逆向偏壓 (D) BJT之基-射極接面為逆向偏壓且基-集極接面是順向偏壓
#3104932
30. 如圖(十六)所示電路,VEE=–12V,RB=200kΩ,RC=1kΩ,若 BJT 之 β=100,VBE=0.7V, 則VC為何? (A) 6.35V(B) – 6.35V (C) 5.65V (D) – 5.65V
#3104933
31. 如圖(十七)所示電路,VCC =18V,RC =3kΩ,RE =0.82kΩ,RF1=238kΩ,RF2=42kΩ, 若BJT之 β=100,且已知基極交流電阻rπ=1 kΩ,則電壓增益vo / vi約為何?(A) – 100(B) – 250 (C) – 280 (D) – 300
#3104934
32. 有關BJT與場效電晶體(FET)元件之比較,下列敘述何者正確? (A) BJT為電流控制型,FET為電壓控制型 (B) BJT之輸入阻抗較FET高 (C) BJT之熱穩定度較FET高 (D) BJT與FET皆屬於雙載子元件
#3104935
33. 某N通道空乏型MOSFET,夾止( pinch - off)電壓Vp = – 3V,IDSS = 10mA,於電路中將其偏壓操作於飽和區,且閘-源極間電壓VGS=–1V,則 MOSFET之轉移電導gm約為何? (A) 1.11mA/V (B) 2.22mA/V (C) 3.33mA/V (D) 4.44mA/V
#3104936
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