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108年 - 108 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#78753
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29. 有一N通道接面型場效電晶體(JFET),若V
GS
= -2 V,且V
GS(off)
= -4 V,則當V
DS
= 1 V與 V
DS
= 5 V時,此場效電晶體分別工作於何種區域?
(A)截止區、歐姆區
(B)截止區、飽和區
(C)歐姆區、飽和區
(D)飽和區、歐姆區
答案:
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統計:
A(7), B(20), C(171), D(32), E(0) #2057582
詳解 (共 2 筆)
天竺鼠車車(111儀電職員上榜
B2 · 2021/02/08
#4537323
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jeef820923(CHT已上榜)
B1 · 2019/09/02
#3565881
VGS=-2>VP當VDS=1V,...
(共 184 字,隱藏中)
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相關試題
30. 如右圖所示放大電路,Vio為考慮運算放大器輸入抵補 電壓後之等效電壓值。若Vi(t) = 0 V時,測得 Vo(t) = 20 mV,則Vio為何? (A) 2.5 mV (B) 5 mV (C) 10 mV (D) 20 mV
#2057583
31. 如右圖所示之電路,在截止頻率時其電壓增益值約為何? (A) 2 dB (B) -2 dB (C) 3 dB (D) -3 dB
#2057584
32. 關於濾波器的敘述,下列何者正確? (A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器 (B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器 (C) RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比 (D) RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比
#2057585
33. 如【圖4】所示,假設Q1、Q2電晶體之參數完全相同,且電晶體之基極電流可忽略不計, VT= 25 mV,試求電路之小訊號電壓增益約為何? (A) -132 (B) 101 (C) -68 (D) 56
#2057586
34. 如【圖5】所示,假設經由小訊號分析得知Z1 = 2 MΩ,則其電流增益約為何? (A) 1,000 (B) 1,200 (C) 3,200 (D) 4,800
#2057587
35. 有關場效電晶體FET之敘述,下列何者正確? (A)不適合雙向開關使用 (B)抵補電壓(Offset Voltage)極高 (C)不適合作超大型積體電路 (D)輸入阻抗極高
#2057588
36. 下列敘述何者有誤? (A) MOSFET電晶體為單極性(Unipolar)電晶體 (B) MOSFET電晶體為一種電流控制元件 (C)一般BJT電晶體的基極輸入阻抗比MOSFET電晶體的閘極輸入阻抗小 (D) BJT電晶體為雙極性(Bipolar)電晶體
#2057589
37. 如【圖6】所示,VD = 15 V,VGS = -3 V,則Rs為何? (A) 1.5 kΩ (B) 2 kΩ (C) 3 kΩ (D) 4.5 kΩ
#2057590
38. 如【圖7】所示,若MOSFET之臨限電壓(Threshold Voltage)為2 V,閘源極間電壓VGS = 4 V時 ,其汲極電流ID(on) = 20 mA,則此電路之汲源極間電壓VDS及汲極電流ID分別約為何? (A) 3.4 V、18.4 mA (B) 4.3 V、18.4 mA (C) 5.4 V、15.3 mA (D) 4.5 V、15.3 mA
#2057591
39. 如【圖8】所示,若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應,fL 與 fH 分別為低頻與高頻 截止頻率,則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成? (A)雜散電容 (B)極間電容 (C)分佈電阻 (D)耦合電容
#2057592
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