30. 在室溫時，本質純矽半導體的自由電子濃度為 $1.5 \times 10^{10}/\text{cm}^3$，經摻雜磷(P)成N型半導體，其自由電子濃度變為 $5 \times 10^{14}/\text{cm}^3$，則此N型半導體中的電洞濃度為何？
(A) $3 \times 10^4/\text{cm}^3$
(B) $4.5 \times 10^5/\text{cm}^3$
(C) $3 \times 10^5/\text{cm}^3$
(D) $4.5 \times 10^4/\text{cm}^3$

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