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國營事業◆1.電路學 2.電子學
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110年 - 110 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(一)、電機(二)、儀電:1.電路學 2.電子學#103646
> 試題詳解
35. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤?
(A) FET 是單極性裝置
(B) FET 具有高電流驅動能力
(C) FET 可作為對稱性的雙向開關
(D) FET 較無雜訊產生
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統計:
A(21), B(159), C(25), D(11), E(0) #2799392
詳解 (共 1 筆)
牛奶
B1 · 2021/11/10
#5203900
1. 優點 (1).高輸入阻抗 一般...
(共 680 字,隱藏中)
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12
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私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2025/09/10
私人筆記#7432502
未解鎖
國營事業◆1.電路學 2.電子學#...
(共 542 字,隱藏中)
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55. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤? (A) FET 是單極性裝置 (B) FET 具有高電流驅動能力 (C) FET 可作為對稱性的雙向開關 (D) FET 較無雜訊產生
#750766
45. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述,下列何者有誤? (A) FET 是單極性裝置 (B) FET 具有高電流驅動能力 (C) FET 可作為對稱性的雙向開關 (D) FET 較無雜訊產生
#971237
55. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述下列何者有誤? (A) FET 是單極性裝置 (B) FET 具有高電流驅動能力 (C) FET 可作為對稱性的雙向開關 (D) FET 較無雜訊產生
#971432
17. FET 場效電晶體相較於 BJT 電晶體的特性敘述下列何者有誤? (A) FET 是單極性裝置 (B) FET 具有高電流驅動能力 (C) FET 可作為對稱性的雙向開關 (D) FET 較無雜訊產生
#971544
36. 對基本放大器增加負回授後,下列特性敘述何者有誤? (A)雜訊對電路的影響降低 (B)頻寬增加 (C)放大器的增益會衰減 (D)增益與頻寬的乘積提高
#2799393
37. 由 CMOS FET 組成傳輸閘 (Transmission Gate) 時,組成元件為下列何者? (A)只有 NMOS (B)只有 PMOS (C) NMOS + PMOS (D) JFET
#2799394
38. 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為 ,共模拒斥比 CMRR = 40 dB ,差模增益,則下列何者正確? (A)差模輸入電壓 (B)共模增益 (C)共模輸入電壓 (D)輸出電壓
#2799395
39. 如下圖所示電晶體電路,假設輸入信號 為交流小信號且 無直流成分,又電晶體的 可忽略,則右圖之輸入電阻 為何? (A) (B) (C) (D)
#2799396
40. 如下圖所示電路,已知 FET 參數 gm = 1 mS,rd = 20 kΩ, 若此電路具回授 (Feedback) 的狀態,下列敘述何者有誤? (A)此為串串 (series- series) 回授型態 (B)回授因子 (Feedback factor) β 為 0.47 kΩ (C)開迴路增益 (Open loop gain) A 為 0.66 mA / V (D) 為 -10
#2799397
41. 如下圖電路,已知 CMOS 反向電路的 , 且 ,假設 時,請問 的電壓值為多少? (A) 1.55 V (B) 2.40 V (C) 2.86 V (D) 3.75 V
#2799398
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