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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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99年 - 99 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群電子類_專業科目(一):電子學、基本電學#18237
> 試題詳解
38. 如圖(十八)所示之電路,C
1
之主要功能為何?
(A) 隔離直流偏壓
(B) 消除雜訊
(C) 提高輸入阻抗
(D) 隔離交流訊號 圖(十八) 的
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統計:
A(33), B(8), C(9), D(12), E(0) #676691
詳解 (共 2 筆)
Qookjw
B1 · 2021/08/16
#5011606
直流電容抗無限大 可隔絕直流
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/12/06
#7204285
這是一個關於電子學中 BJT 電晶體放大...
(共 1938 字,隱藏中)
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相關試題
39.a如圖(十九)所示之電路,MOSFET 之臨限電壓 ( threshold voltage ) 為 2 V,閘源極電壓 VGS = 4V 時之汲極電流 ID (on) = 1mA,若汲源極電壓 VDS = 6V,則電阻 RD約為何? (A) 2MΩ (B) 1.5MΩ (C) 2kΩ (D) 1.5kΩ
#676692
40.a如圖(二十)所示之電路,已知 JFET 之 IDSS = 4mA,截止電壓( cutoff voltage ) VGS(off) = –4V,汲極電阻參數 rd = ∞,則 Vo /Vi約為何? (A) –3.4 (B) –5.2 (C) –6.3 (D) –8.1
#676693
41.a如圖(二十一)所示之理想運算放大器電路,在不飽和情況下,電流 I 為何? (A) 0.005mA (B) 0.02mA (C) 0.1mA (D) 0.4mA
#676694
42.a如圖(二十二)所示之理想運算放大器電路,運算放大器的飽和電壓為± 12 V,則 Vo為何? (A) –12 V (B) –6 V (C) 6 V (D) 12 V
#676695
43.aNPN 電晶體工作於主動區,其射極流出的電子有 0.25 % 在基極與電洞結合,其餘 99.75 % 被集極收集,則此電晶體之 β 值為何? (A) 99 (B) 199 (C) 299 (D) 399 的
#676696
44.a如圖(二十三)所示之電路,電晶體的 β = 100,VCE = 5V,VBE = 0.7V,則 RB值約為何? (A) 43kΩ (B) 65kΩ (C) 87kΩ (D) 101kΩ
#676697
45.a下列關於電晶體共射極且無旁路電容之射極回授偏壓電路之敘述,何者錯誤? (A) 可改善工作點穩定度 (B) 具有電流負回授之功能 (C) 與有旁路電容之射極回授偏壓電路比較,電流增益降低 (D) 與有旁路電容之射極回授偏壓電路比較,電壓增益增加
#676698
46.a如圖(二十四)所示之電路,電晶體靜態工作點 VCE = 6 V,集極電流 IC = 1.2mA,β = 100, 熱電壓 VT = 26mV,則輸入阻抗 Zi約為何? (A) 9.85kΩ (B) 8.33kΩ (C) 7.71kΩ (D) 5.32kΩ
#676699
47.a積體電路內之串級放大器電路大部分採用何種耦合方式? (A) 直接耦合 (B) 電容耦合 (C) 電阻耦合 (D) 變壓器耦合 的
#676700
48.aN 通道增強型 MOSFET 的臨限電壓( threshold voltage )為 2V,當 VGS = 5V 時,MOSFET 工作於飽和區(夾止區),且 ID = 3mA。若 VGS = 8V,則轉移電導 gm為何? (A) 1mS (B) 2mS (C) 4mS (D) 6mS
#676701
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