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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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106年 - 106 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群資電類_專業科目(一):電子學、基本電學#61702
> 試題詳解
8. 關於BJT電晶體放大電路在正常工作時之特性,下列敘述何者正確?
(A) 集極回授式偏壓電路不會發生飽和
(B) 射極回授式偏壓電路之工作點較不穩定
(C) 固定式偏壓電路可得穩定之工作點
(D) 射極隨耦器之電流增益低於1
答案:
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統計:
A(105), B(33), C(39), D(23), E(0) #1584884
詳解 (共 1 筆)
jeef820923(CHT已上榜)
B1 · 2018/06/05
#2834967
集極回授偏壓BC逆偏,故永不飽和
(共 18 字,隱藏中)
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相關試題
9. 如圖 ( 七 ) 所示之電路,電晶體的 β = 99,VBE = 0.7 V,若 VCC = 12 V,RC = 1.2 k Ω, VCE =6V,則RB應為何? (A) 68 kΩ (B) 82 kΩ (C) 94 kΩ (D) 106 kΩ圖(七)
#1584885
10. 關於共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)電晶體放大器三者之比較,下列何者正確? (A) 只有CC放大器之輸入電壓與輸出電壓同相位,其餘二者之輸入電壓與輸出電壓為反相 (B) 只有CE放大器同時具有電壓與電流放大作用,且CE放大器之功率增益的絕對值為 三者中最大 (C) 只有CB放大器不具電流放大作用,且CB放大器之輸出阻抗及電壓增益的絕對值為 三者中最小 (D) 只有CC放大器不具電壓放大作用,且CC放大器之輸入阻抗及電流增益的絕對值為 三者中最小
#1584886
11. 如圖(八)所示之電晶體放大電路,若電晶體之 β =99,VBE =0.7V,熱電壓(thermal voltage ) VT = 26 mV,C 為耦合電容或旁路電容。欲設計其電壓增益 |Vo / Vi |150 ,則 RC 約為 多少? (A) 2 kΩ(B) 3 kΩ (C) 4 kΩ (D) 6 kΩ 圖(八)
#1584887
12. 如圖(九)所示之電晶體放大電路,C為耦合電容,在正常工作下,其 β=99,射極交流電阻 r e=50Ω,則此電路之電壓增益Vo /Vs約為何? (A) 59.4 (B) 36.8 (C) 13.1 (D) 3.3 圖(九)
#1584888
13. 在串接式多級放大器電路中,下列何者不屬於級與級間的耦合電路? (A) 直接耦合電路 (B) 變壓器耦合電路 (C) 電阻電容耦合電路 (D) 電晶體耦合電路
#1584889
14. 有一放大器的截止頻率為100 Hz和20 kHz,當輸入訊號為中頻段2 kHz 弦波時之輸出功率為120W。若僅改變輸入訊號頻率至20 kHz,則此時之輸出功率約為多少? (A) 30W (B) 60W (C) 84.85W (D) 120W
#1584890
15. 關於FET與BJT電晶體的比較,下列何者錯誤? (A) FET的輸入阻抗較BJT高 (B) FET的增益與頻寬的乘積較BJT大 (C) FET的熱穩定性較BJT好 (D) MOSFET比BJT較適合應用於超大型積體電路中
#1584891
16. 如圖 ( 十 ) 所示電路,其中 Q1 與 Q2 的臨界電壓 ( threshold voltage ) 分別為 1 V 與 – 1 V。 當Vi=0V時,Q1、Q2的工作狀態為何? (A) Q1與Q2皆工作在歐姆區(B) Q1與Q2皆工作在截止區 (C) Q1工作在截止區、Q2工作在歐姆區 (D) Q1工作在歐姆區、Q2工作在截止區 圖(十)
#1584892
17. 如圖 ( 十一 ) 所示電路,若 MOSFET 的臨界電壓 ( threshold voltage ) VT = 2 V,且其參數 K=1mA/V2。欲設計使其工作在VDS=4V,則RD的值應為何? (A) 2 kΩ (B) 4 kΩ (C) 6 kΩ (D) 8 kΩ圖(十一)
#1584893
18. 如圖 ( 十二 ) 所示之 FET 小信號模型電路,其中放大因數 μ = gmrd,則由輸出端 vo看入的 輸出阻抗Zo為何? (A) RD + rd +(1+ μ)RS (B) RD //rd //(1+ μ)RS (C) RD +[rd //(1+ μ)RS] (D) RD // [rd +(1+ μ)RS]圖(十二)
#1584894
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