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積體電路技術
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103年 - 103 高等考試_二級_電子工程:積體電路技術#43082
> 申論題
題組內容
二、
⑴在製作 Al-2%Cu 的薄膜時,應以使用 sputtering 技術或 evaporation 技術為佳?說 明你的理由。
相關申論題
⑵試說明何謂「離子通道效應」(ion channeling effect)及其如何影響接面深度 (junction depth)的製作?
#137625
⑶試說明在投影式的光學蝕刻術(projection optical lithography)中,為何最小鑑別 度(minimum resolution)和焦距深度(depth of focus)這兩個需求無法藉由使用 較短波長的光子而同時得到最佳化?
#137626
⑷試說明濕式蝕刻(wet-etch)與乾式蝕刻(dry-etch)之優缺點各為何? (每小題 5 分,共 20 分)
#137627
⑴請列出沿著入射方向植入之雜質離子的高斯分佈函數式為何?並說明各符號的意 義(列式即可,不用推導)。
#137628
⑵設入射硼離子的平均投影範圍(projected range,Rp)為 1.756 μm,而投射游走 (projected straggle,ΔRp)為 0.1364 μm,試計算圖一中接面深度(junction depth) xj1 與 xj2 各為何?
#137629
⑴計算此氧化製程之線性氧化常數 B/A(linear oxidation constant)和拋物線氧化常 數 B(parabolic oxidation constant)各為何?並列出其單位。
#137630
⑵依據⑴之結果試說明氧化過程的機制為何?
#137631
⑴試繪出此 DRAM 結構的剖面圖(cross-sectional view)。
#137632
⑵欲完成上述 DRAM 之製作至少需要幾道光罩(mask)?請按製程流程(process sequence),寫下光罩層的名稱與其目的。 Al electrode for capacitor Al Al Gate Field Oxide n+ n+ Gate oxide p-type Si 圖二
#137633
⑴分別計算:甲公司 X1 年帳列之投資收益為何?甲公司 X2 年 12 月 31 日帳列 「投資乙公司普通股」之餘額為何?X3 年合併綜合損益表中非控制權益 淨利之金額為何?X3 年 12 月 31 日合併資產負債表上之非控制權益之金額為 何?(12 分)
#137634
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