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107年 - 107 專技高考_電子工程技師:電子學#72993
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題組內容
一、使用理想運算放大器(Ideal-operational amplifier)設計一反相微分器 (Inverting differentiator),其中一輸入電容(C)為 0.01(μF)且微分時間 常數為 10(ms)。同時當角頻率(w)為 10(rad/s)時,請繪出此微分器、 並計算電路之:
⑵當高頻增益大小限制為 100 時,試計算串接於電容上之所需電阻值。 (10 分)
相關申論題
⑴在忽略厄立效應(Early effect)下,其基極(VB)、射極(VE)與汲極 (VC)之直流電壓值。(10 分)
#297314
⑵在小訊號模型下,其轉導(gm)、輸入電阻(rπ)與輸出電阻(ro)值。 (10 分)
#297315
三、⑴已知一 p 通道場效電晶體(JFET),其自給偏壓(假設 VGS= 5 V)之 電路參數為:IDSS = 25 mA 且 VGS(off)= 15 V、VGS= 5 V,試求其源極 電阻(RS)值。(10 分)
#297316
⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體(E-MOSFET),其電路參數 為:VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2 。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V,試計算 其汲極電流(ID)值。(10 分)
#297317
四、考慮如圖 2 之金氧半電晶體(NMOS)電路(忽略通道長度調變效應, 即λ = 0),其電路參數:VDD = -VSS = 2.5 V、Vt= 1 V、μn Cox = 60 μA/V2 、 W/L = 120 μm/ 3 μm。為使電晶體操作在 ID = 0.3 mA、VD = +0.4 V 時, 試計算所需 RD及 RS之電阻值。(20 分)
#297318
一、設 一 矽 二 極 體 pn 接面之摻雜濃度與摻雜濃度 且本質濃度 ,試求於T= 300 K 時之內建 電壓V0、空乏區寬度Wdep與空乏區在 p 側及 n 側之延伸寬度。(25 分)
#297319
二、設一增強型 n-通道金氧半場效電晶體(NMOS transistor),已知其 、 W =400 μm、 L =10 μm 、 V t = 1.2 V 以 及 λ = 0.01 V -1 ,分別試求其操作於偏壓電壓 VGS = 2V下之 gm 與 ro值,以及 於偏壓電流 值。(25 分)
#297320
三、設一切換頻率為25 kHz之降升壓型轉換器(buck-boost converter),其輸 入電壓V 15 V d = 、電感器之感值L 40 H = μ ,且令輸出電容器之容值甚 大,試求得使輸出電壓調節於 且供應負載功率 之對應 開關導通率(duty ratio)與導通模式。(25 分)
#297321
四、設一邱克轉換器(Cúk converter)示如下圖,已知其中 、 ,令電晶體導通 率(duty ratio)為D= 0.2 、切換頻率為20 kHz、負載平均電流為 2 A, 試求C1與C2上電壓漣波之峰對峰值 C1 Δv 與 C2 Δv ,以及電晶體開關元件上 之峰值電流 Ip。(25 分)
#297322
一、燃煤火力發電與核能發電是現代電力能源的重要來源,試比較兩者之優 缺點,並詳述兩者可能帶來的環境影響。(25 分)
#297323
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