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化學程序工業(包括質能均衡)
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103年 - 103 關務特種考試_三等_化學工程:化學程序工業(包括質能均衡)#39789
> 申論題
五、茲將 22℃的液態氯以 234.4 kg/h 的流速連續注入氣化器(vaporizer)中使之氣化為 5℃的氯氣,氣化的過程以 2 bar(絕對壓力)的飽和蒸汽提供熱源,蒸汽通過蛇管 (coil)釋出潛熱(2201.6 kJ/kg)並以飽和液排出,已知液態氯在 22oC 的氣化熱為 290 kJ/kg,氯氣的熱容為 0.48 kJ/(kg⋅℃),試估算蒸汽的用量(kg/h)。(10 分)
相關申論題
六、氨可用空氣氧化生成硝酸,其反應如下: NH 3 + 2O 2 → HNO3 + H 2 O 若進料只有氨及空氣(21%氧,餘為氮),反應後的無水氣體(water-free gas)組 成(莫耳百分比,mol%)為 NH3 (0.8%)、HNO3 (9.5%)、O2 (3.8%)、N2 (85.9%),試估算氨的轉化率及空氣的過量百分比(excess air percentage)。(20 分)
#119858
⑴每莫耳混合液進料可得的塔頂氣體及塔底液體的莫耳數。(10 分)
#119859
⑵塔頂氣體及塔底液體的莫耳百分比組成。(10 分)
#119860
⑵假設每一個原子為一個硬球體且表面與相鄰原子的表面緊密相接,試求在面心立 方晶格(fcc)中,單胞中被原子占據的體積比例。(8 分)
#119862
二、⑴考慮T=300 K摻雜鎵原子(Ga)2 × 1016 atoms/cm3於純矽晶體中,若本質濃度ni =1.5 × 1010/cm3,則決定摻雜後之材料為n型或p型及電子濃度(n)、電洞濃度( p)。(8 分)
#119863
⑵考慮矽在T=300 K且施體濃度Nd=1017/cm3、Na=0,若Nc=2.8 × 1019/cm3、Nv =1.04 × 1019/cm3,則計算此摻雜濃度時費米能階相對於本質費米能階的位置。(7 分)
#119864
三、⑴試述 pn 接面在交流小訊號情況下之等效電路,並推導公式之由來。(7 分)
#119865
⑵試述 pn 接面之兩種接面崩潰(junction breakdown)機制,並以能帶圖說明之。 (8 分)
#119866
五、對 MOS 寄 生 電 容 而 言 , 在 T=300 K 下 , 考 慮 p 型 矽 基 板 (ε s = 11.7ε 0 ) , ε 0 = 8.85 × 10 −14 F / cm 2 其摻雜量Na =1016/cm3 ,若氧化層是二氧化矽 (ε ox = 3.9ε 0 ) , ° 厚度為 550 A ,而且閘極為鋁材質,試計算出氧化層電容(Cox)、最小電容(Cmin) 及平帶電容(CFB)等值。(20 分)
#119868
六、⑴請解釋為何射頻濺鍍法(RF sputter)能同時濺鍍導電與非導電材質,而直流濺鍍 法(DC sputter)僅能濺鍍導電材質的原因。(10 分)
#119869
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