⑵現今發展一種所謂的矽鍺（SiGe）異質雙極性接面電晶體（Heterojunction Bipolar Transistor，HBT），請說明這種元件的射極、基極與集極材料分別為何？比較傳統的雙極性接面電晶體，這種元件可以提供什麼優點？並說明原因。（每小題 10 分，共 20 分）