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稅務法規及保險法規
泉勝◆程式語言與設計(下冊)
一等大管輪◆維修保養與輔機
最新試卷
115年 - 115 高等考試_三級_海洋行政:海洋事務總論#142334(29題)
115年 - 115 普通考試_法律廉政、財經廉政:公務員法概要(包括任用、服務、保障、考績、懲戒、交代、行政中立、利益衝突迴避與財產申報)#142333(6題)
115年 - 115 高等考試_三級_司法行政:行政法與行政救濟法#142332(4題)
115年 - 115 高等考試_三級_檔案管理:檔案管理學#142331(4題)
115年 - 115 高等考試_三級_金融保險:保險學#142330(4題)
115年 - 115 高等考試_三級_智慧財產行政:智慧財產法規(包括專利法、商標法及著作權法)#142329(4題)
115年 - 115 高等考試_三級_法制:民法與民事訴訟法#142328(4題)
115年 - 115 高等考試_三級_圖書資訊管理:資訊系統與資訊檢索#142327(4題)
115年 - 115 高等考試_三級_土木工程:營建管理與工程材料#142326(6題)
115年 - 115 高等考試_三級_人事行政:公共人力資源管理#142325(4題)
最新試題
119. 將某額定為 220 伏特、1000 瓦特之電熱器,以 110 伏特的電源供電,若要產生 75000 焦耳熱量,需供電多少分鐘? 初等考 114 (A)2.5 (B)5 (C)7.5 (D)10
118. 2 歐姆電阻所消耗的功率為 18 瓦特,其通過之電流為何? 初等考 114 (A)1 安培 (B)2 安培 (C)3 安培 (D)4 安培
117. 電熱器為 20Ω,連接至 110V 的電壓源,若連續使用 24 個小時,試求總消耗電量為多少度﹖ 台鐵 113 (A)5.53 度 (B)14.52 度 (C)28 度 (D)132 度
最新申論題
四、”Learning in the context of educating is a process under the deliberate control of the learner” 試詮釋其意義。(25分)
三、「子日:愛之,能勿勞乎?忠焉,能勿誨乎?」《論語.憲問》試評述這句話的教育涵義。(25分)
二、如果我們肯定教育工作是一種專業,那麼您認為教學生涯是一種平淡平實的生涯,還是一種繽紛璀璨、多采多姿的生涯?為什麼?(25分)
最新課程
考衝班-全彩警特英文圖解單字記憶、閱讀線上課
講師:
台中大雅家教-睿智數學及英文家教,王瑞志老師
簡介:
提供警察特考英文,老師用全彩圖解單字記憶、閱讀線上課,還有2種以上的記憶方法,來教你輕鬆記英文單字,...
基本護理學
講師:
橙子焦糖
簡介:
統整基本護理學之重點及相關題目。(「☆」後面數字越大表示考題比例越高呦)
【警鴿心智圖】刑法分則-財產法益(二)
講師:
小摩喵(課程:警鴿系列)
簡介:
本課程以清晰的心智圖呈現複雜的法律概念,幫助你快速掌握核心要點!無論你是法律系學生、司法考試備考生,...
最新主題筆記
植物生理學-生殖
描述:
生殖複製 植物生理學
植物生理學-組織
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組織學 植物生理學
形容詞的比較級
課程:
國小數學
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最新討論
20. 假設四物種和一外群,共有 5 特徵,資料如上表,以最大簡約法 (Maximum parsimony) 進行親緣關係分析,0 為祖徵(Plesiomorphy),1 為衍徵 (Apomorphy),建立最大簡約親緣關 係樹所需最少步驟為何? (A) 3 (B) 4 (C) 5 (D) 6 (E) 7
7. 每個人都是獨特且多元的,我們可以透過周哈里窗的方式來認識自己。祐霖 透過生涯規劃課程體驗活動,從同學們的回饋中得知自己有領導溝通能力, 此「自己不知道,別人卻知道」的特質,是屬於以下哪個選項? (A)開放我 (B)隱藏我 (C)盲目我 (D)未知我
10. 信宇想用四技二專甄選入學管道報考國立科技大學,下列敘述何者錯誤? (A)統測成績為第一階段篩選用 (B)志願名額可以填 199 個目標校系 (C)指定項目甄試為第二階段內容 (D)他需要上傳出色的備審資料
334 金融從業人員對誰負有忠實誠信義務?(A)所有投資大眾(B)客戶(C)公司股東(D)以上皆是
48. 有關高低速控制區域網路 CAN (Control Area Network)之敘述,下列何者有誤? (A)低速 Can 協議遵守 ISO-11519-2; (B)低速 Can 邏輯 1 時雙絞線電壓均為 2.5V; (C)高速 Can 協議遵守 ISO-11898; (D)高速 Can 邏輯 1 時雙絞線電壓均為 2.5V
49. 未來取代電動車電動機驅動器之絕緣柵雙極型電晶體(IGBT),為下列何種電晶體? (A) FET; (B) JFET; (C) BJT; (D) SiC MOSFET