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攝影測量與遙感探測

藥物治療與用藥安全

臨床藥動學

115年 - 115 中華民國人壽保險管理學會_秋季壽險管理人員暨核保理賠人員測驗：會計與經濟#145260(60題)

115年 - 115 中華民國人壽保險管理學會_秋季壽險管理人員暨核保理賠人員測驗：人身保險概論#145247(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 1051-1090（2026/05 更新）#145232(40題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 1001-1050（2026/05 更新）#145231(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 951-1000（2026/05 更新）#145230(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 901-950（2026/05 更新）#145229(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 851-900（2026/05 更新）#145228(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 801-850（2026/05 更新）#145227(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 751-800（2026/05 更新）#145226(50題)

115年 - 汽車駕照筆試_英文 701-750（2026/05 更新）#145225(50題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

養路工程(國營台鐵、阿里山森林鐵路)

講師：艾伯特

簡介：✅ 六堂課完整攻略，快速掌握核心重點 濃縮考試精華，以六堂課建立完整觀念，不必花費大量時間閱讀厚重教材...

教師檢定全科

講師：Terry Tung

簡介：本課程依據教育部最新「教師資格考試命題大綱」開發。 全章節覆蓋： 從國語文語文知識、教育理論四大學門、...

刑事訴訟法

講師：cooper147888

簡介：本課程將帶您識別重要法條、考點，將易混淆的觀點整理 加上篩選後的歷屆試題與相關題目，幫考友把觀念釐清...

憲法訴訟審理流程

課程：憲在要幹嘛：憲法重點整理〈中集〉
章節：司法院

司法行政權

課程：憲在要幹嘛：憲法重點整理〈中集〉
章節：司法院

懲戒權

課程：憲在要幹嘛：憲法重點整理〈中集〉
章節：司法院

73.下列那一個輻射源是中子射源？ (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au

1 在卵受孕過程中，前三週之著床期（preimplantation）過度輻射曝露，最易造成那種後果？ (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產

1. 有關下列之敘述，何者正確？(A) 財政部國際貿易署為我國的貿易主管機關(B) 代理交易是委託人與代理人間一種買斷關係(C) 衛生福利部負責藥品、醫療器材、食品及化妝品等進出口審理(D) 關務署掌理貨物進出口驗關、徵稅及退保稅，其主管機關為經濟部。

2. 甲公司以CIF Dubai出口貨物，並依一般慣例投保最低基本險。貨物裝船後，因航經戰區遭受戰爭行為損失。若契約未特別約定加保戰爭險，下列何者最正確？(A) 因為是CIF，故一切風險均由賣方承擔至目的港(B) 因為賣方已投保，所以保險人一定全額理賠(C) 戰爭危險通常非基本險自動承保範圍，未加保時，該部分損失可能由買方自行承擔(D) 買方可主張CIF一律包含戰爭險。

20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭，下列何者錯誤？ (A)長輩嫁女：摽梅迨吉 (B)好友遷居：良禽擇木 (C)晚輩訂婚：緣定三生 (D)親戚生兒：弄瓦徵祥

(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)