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115年 - 計程車執業登記測驗:臺南市地理環境_是非題 1-50(2026/09/09 更新)#144650(50題)
115年 - 115 台灣自來水公司股份有限公司_評價職位人員甄試試題_技術士工程類、技術士工程類(限原住民族報考):專業科目B_電腦繪圖(AutoCad)#144616(50題)
115年 - 115 臺南市政府及所屬各機關學校約聘(僱、用)、臨時人員集中辦理公開甄選口試一般性考題題庫#144594(50題)
115年 - 財物及勞務採購作業-是非題 251-264(115/08/28 更新)#144578(14題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科阿拉伯文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(阿拉伯文)#144576(23題)
115年 - 115-2 資訊安全工程師能力鑑定中級:資訊安全規劃實務#144574(40題)
115年 - 115-2 資訊安全工程師能力鑑定中級試題:資訊安全防護實務#144572(40題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科葡萄牙文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(葡萄牙文)#144570(23題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科韓文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(韓文)#144569(25題)
115年 - 115 外交特種考試_三等_外交領事人員類科日文組:外國文(含新聞書信撰寫與編譯)(日文)#144568(25題)
最新試題
146. 以一含內阻之電源提供負載功率,當負載獲得最大輸出功率時,其傳輸效率為何? 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%
145. 以 KCL 求解右圖示電路時,下列何者為節點 Vb 之正確表示式? 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0
144. 如下圖所示之電路,則電流 I 為多少安培? 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6
最新申論題
四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一,該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度,試說明何謂「量測不確定度」?並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。
三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項,並各舉一例其技術在刑案現場之應用。
(四)進行指紋比對時,研判兩枚指紋為個化結果之條件,除需紋型相符外,另需達 12 個指紋特徵點相符,其理由何在?(10 分)
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{地理科目} 認識地理: 1.臺灣地理: (1)認識台灣的位置 (2)認識台灣地形與區域 (3)認識天氣與氣候 (4)了解...
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本課程適合藥師第一階段考試 整理範圍:108-1~115-2專技高考-藥劑學與生物藥劑學 僅題目分章節整理,詳解請...
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神經肌肉電刺激原理 講義
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第三章 神經肌肉電刺激原理
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【矮袋鼠共筆】物理治療技術學|電療學 筆記/題庫
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第四章 肌肉/神經肌肉/功能性電刺激
描述:
一、神經肌肉與去神經肌肉 二、肌肉電刺激(ES) 三、神經肌肉電刺激(NMES) 四、功能性電刺激(FES) 本...
干擾波(IFC) 講義
課程:
【矮袋鼠共筆】物理治療技術學|電療學 筆記/題庫
章節:
第五章 干擾波(IFC)
描述:
一、儀器設計 二、臨床運用 三、適應症與禁忌症 本主題共計 3 頁筆記
最新討論
73.下列那一個輻射源是中子射源? (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au
1 在卵受孕過程中,前三週之著床期(preimplantation)過度輻射曝露,最易造成那種後果? (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產
21. 臺東公司年初累積盈虧為借餘250,000,年中發現去年之折舊多計50,000、預收租金多計25,000,發現時立即予以更正,已知公司本年稅前淨利1,500,000,歷年所得稅率為20%,再依法提撥法定盈餘公積後,期末累積盈虧餘額為 (A)873,000 (B)877,500 (C)909,000 (D)915,000。
20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭,下列何者錯誤? (A)長輩嫁女:摽梅迨吉 (B)好友遷居:良禽擇木 (C)晚輩訂婚:緣定三生 (D)親戚生兒:弄瓦徵祥
(一)若此試片中的電子濃度與電洞濃度分別以 n 與 p 表示,以及本質載子 濃度以 ni 表示。請用數學式子分別表示此矽半導體之電中性(charge neutrality)與質量作用定律(mass-action law) ,並說明其意義?(10 分)
(二) 如 果 此 試 片 中 的 電 洞 濃 度 等 於 5 ✖103 cm -3 、 5✖109 cm -3 或 1.5✖ 1010 cm -3 ,試計算摻雜濃度 N D 分別等於多少?已知電子電荷 q = 1.6 ✖ 10-19 C 與本質載子濃度 ni = 1.5 ✖1010 cm -3 。(15 分)