90年 - 90 二技統測_電子類、光電類_專業科目(一)：電子電路(含實習)#144982

1. 對於 p-n 接面二極體(p-n junction diode)，下列敘述何者有誤？
(A) 逆向偏壓時空乏區所形成的電容值變小
(B) 順向偏壓時沒有空乏區
(C) 逆向偏壓時空乏區電場強度的最大值出現在 p 區域與 n 區域的接面㆖
(D) 順向偏壓時電流與電壓呈指數關係

2. 如圖(一)所示的電路中，\(v_s\) 為 60Hz 正弦波信號，其均方根值(root-mean-square value)為 110 V，D 為理想二極體，R = 1 kΩ，C = 1000 μF，下列敘述何者有誤？ (A) \(V_o\) 為一含漣波(ripple)成份的直流電壓 (B) 該漣波的振幅約為 2.6 V (C) \(V_o\) 的最大值約為 156 V (D) 降低電容值可減少漣波的大小

3. 如圖(二)所示的電路中， v s 為 60Hz 正弦波信號，其均方根值為 110 V，D₁、D₂ 均為理想
二極體，C₁ = C₂ = 88μF，有關 Vo 的敘述，下列何者正確？
(A) 均方根值約為 110 V (B) 峰值約為 110 V
(C) 約為 −312 V 的直流電壓 (D) 約為 156 V 的直流電壓

4. 在純質矽晶片(intrinsic Si wafer)中加入磷(phosphorus)，下列敘述何者有誤？
(A) 多數載子為電洞 (B) 導電率增加
(C) 純質矽晶片成為外質(extrinsic) (D) 電子與電洞濃度乘積為定值

5. 有關 741 運算放大器的敘述，下列何者有誤？
(A) 輸入端為差動放大器組態
(B) 內部具有短路保護電路
(C) 輸出端為 AB 級功率放大器
(D) 放大級包含共基極與共射極組態的放大器

6. 如圖(三)所示的電路中， V_o 約為︰
(A) 1 V (B) 1.1 V (C) 0.1 V (D) 2 V

7. 如圖(四)所示的電路中，若 V_I = 3 V，則 V_E 約為︰
(A) 2.1 V (B) 3.1 V (C) 1.1 V (D) 4.1 V

8. 如圖(五)所示的電路中，調整 \( V_{BE} \)，使得集極直流電流 \( I_C = 1 \) mA，若 \( v_{be} = 0.005 \sin \omega t \) V， 總集極電位(total collector voltage) \( v_C \) 為： (A) \( \sin \omega t \) V (B) \( 5 - 2 \sin \omega t \) V (C) \( 4 + 0.1 \sin \omega t \) V (D) \( 5 \sin \omega t \) V

9. 如圖(六)所示的電路中，直流電流 I _C 約為︰
(A) 1.03 mA (B) 2.28 mA (C) 1.63 mA (D) 2.66 mA

vo

10. 承(9)題，電壓增益 \( A_v = \left| \frac{v_o}{v_s} \right| \) 約為：(A) 30 (B) 40 (C) 60 (D) 70

11. 如圖(七)所示的電路，\(v_d\) 為零平均電壓的小信號，當 \(v_{I1} = \frac{v_d}{2}\)，\(v_{I2} = -\frac{v_d}{2}\)，其差模增益 (differential-mode gain) \(|\frac{v_o}{v_d}|\) 的大小約為：
(A) 600
(B) 220
(C) 100
(D) 55

12. 承(11)題，其共模拒斥比(common-mode rejection ratio) \( \left|\frac{A_d}{A_c}\right| \)約為：
(A) 88
(B) 123
(C) 275
(D) 300

13. 如圖(八)所示的電路中，下列敘述何者有誤？
(A) Q₂ 處在順向主動區(forward active region) (B) V_B = 3.17 V
(C) V_C = 3.62 V (D) V_E =3.82 V

14. 有一增強型 PMOSFET，其臨界電壓(threshold voltage)為 − 0.2 V，若直流汲極電壓 V_D=2V， 直流源極電壓 V_S =5 V，直流閘極電壓 V_G =1.2 V，則該 PMOSFET 處於何種工作區？ (A) 線性區 (B) 飽和區 (C) 截止區 (D) 逆向工作區

15. 如圖(九)所示的電路，為利用射極隨耦器所組成的 A 級功率放大器，若電晶體的集極-射
極飽和電壓為 0.2 V，則輸出級電路的功率轉換效率(power-conversion efficiency)可能為︰
(A) 80 % (B) 60 % (C) 40 % (D) 20 %

16. 如圖(十)所示的電路中，直流電壓 Vo = 1 V，則 ID 約為︰
(A) 1.03 mA (B) 2.28 mA (C) 0.4 mA (D) 4.0 mA

17. 如圖(十一)所示的電路中，IREF = 100μA，小信號電壓增益(small-signal voltage gain)約為︰
(A) 120 (B) −100 (C) 60 (D) −60

18. 如圖(十二)所示的電路中，\(I_{REF1} = 100 \mu A\)，\(I_{REF2} = 200 \mu A\)，則小信號電壓增益為：
(A) 2.8×10² (B) 3.0×10⁵ (C) 2.2×10⁵ (D) 2.0×10⁴

19. 如圖(十三)所示的電路，電晶體參數如第 7 題之 Q₁，V_BIAS 使 Q₁ 順向偏壓，I_REF = 100 μ A ， 則小信號電壓增益的絕對值約為： (A) 20000 (B) 6000 (C) 10000 (D) 8000

20. 一個放大器的轉換函數(transfer function) \( A(s) = \frac{100s}{(s+100)(1+s/10^6)} \), 下列敘述何者有誤？ (A) 中頻增益約 40 dB (B) 低頻截止頻率(cut-off frequency) \( \omega_L \) 為 100 rad/sec (C) 高頻截止頻率 \( \omega_H \) 為 100 k rad/sec (D) 頻率為 1 rad/sec 時增益約為 1

21. 負回授對於系統的影響，下列何者有誤：
(A) 信號增益敏感度提高 (B) 頻寬增加
(C) 雜訊增益降低 (D) 非線性失真程度減少

22. 如圖(十四)所示的電路中,MOSFET M₁ 及 M₂ 的特性完全相同,臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為 2 V,通道長度為 10 μm,通道寬度為 100 μm,μ_nC_ox = 20 μA/V²,忽略通道長度調製效應(channel-length-modulation effect),調整 R₁,使得 I_D1 = 0.4 mA,則 M₂ 汲極電位 V_D2 為 : (A) -5 V (B) 6V (C) 4 V (D) -3 V

23. 有關矽控整流器(SCR)之特點，下列何者有誤？
(A) 只能單向導通
(B) 可直接以外加電路令其截止
(C) 較大的閘極電流可降低導通所需的順向偏壓
(D) 屬於三端元件

24. 如圖(十五)所示的電路，A₁、A₂ 與 A₃ 均為理想運算放大器，輸出飽和電壓為±15 V，當 V₁ = -4 V 時，V₂ 的值為： (A)+15 V (B)-15 V (C)+8 V (D)-8 V

25. 承(24)題, 當 \( V_1 = -4 \) V 時, \( V_3 \) 的值為 : (A) +15 V (B) -15 V (C) +8 V (D) -8 V

26. 承(24)題，若 V₁ 為一無直流成份的三角波，振幅為± 3 V，則 V₃ 的波形為：
(A) 工作週期(duty cycle) 75 %的方波 (B) 工作週期(duty cycle) 50 %的方波
(C) 工作週期(duty cycle) 25 %的方波 (D) 直流波形

27. 如圖(十六)所示的電路，其實現的輸出函數為： (A) \( Y = A \cdot (B + C) \) (B) \( Y = A + B \cdot C \) (C) \( \overline{Y} = A \cdot (B + C) \) (D) \( \overline{Y} = A + B \cdot C \)

28. 如圖(十七)所示的電路，A 為理想運算放大器，當電路達到穩定操作狀態後，下列敘述何者有誤？ (A) \(v_o\) 的振盪頻率約為 6.33 kHz (B) 兩個二極體輪流導通 (C) \(v_p = v_N\) (D) \(v_o = 3v_p\)

29. 承(28)題，當電路達到穩定操作狀態後，兩並聯二極體的等效電阻約為：
(A) 110.5 kΩ (B) 210.5 kΩ (C) 221 kΩ (D) 421 kΩ

30. 如圖(十八)所示的電路, A 為理想運算放大器, 輸出飽和電壓為±13 V, 下列何者有誤? (A) v_p 的振幅為±5 V (B) v_o 的振盪頻率不受運算放大器輸出飽和電壓的影響 (C) v_N 的振幅為±5 V (D) v_p = v_N

31. 承(30)題， v_P 的工作週期約為：
(A) 62.5 % (B) 50 % (C) 38.5 % (D) 25 %

32. 有關 BiCMOS 的特色，下列敘述何者有誤？
(A) 低消耗功率 (B) 雜訊邊際較小
(C) 高輸入阻抗 (D) 電流驅動能力較強

33. 下列哪一種功率放大器的電晶體導通角度最小？
(A) A 級 (B) AB 級 (C) B 級 (D) C 級

34. 如圖(十九)所示的電路，A 為理想運算放大器，下列敘述何者有誤？
(A) 取樣時，S0 必須接至右邊接點
(B) 重置時所有開關均須切至左邊接點
(C) 此電路可實現 5-位元的數位/類比轉換功能
(D) S4 代表 LSB(最小位元)的狀態

35. 承(34)題, 若 \( V_{ref} = 32 \) V, S0 至 S4 的狀態為(1, 1, 0, 1, 0), 其中 1 代表切至右邊接點, 0 代表切至左邊接點, 則 \( V_o \) 為 : (A) 26 V (B) 22 V (C) 20 V (D) 10 V

36. 如圖(二十)所示的電路，MOSFET M₁ 的通道長度為 6μm，通道寬度為 100μm；M₂ 的通道長度為 30μm，通道寬度為 6μm；其他特性完全相同，臨界電壓的絕對值均為 2V，μ_nC_ox 為 20μA/V，忽略通道長度調製效應、本體效應(body effect)、負載阻抗效應(load resistance effect)，則電壓增益為：
(A) −9.1 (B) −8.3 (C) − 4.4 (D) − 4.0

37. 承(36)題，若本體效應參數(body effect parameter)為正值，則電壓增益的絕對值有何變化？
(A) 不變 (B) 變小 (C) 變大 (D) 變為 0

38. 某二階濾波器的轉換函數具有一對極點在 \(-1 \pm j2\)，傳輸零點在 \(\omega = 1 \text{ rad/sec}\)，且直流增益為 1，則濾波器在頻率為 \(2 \text{ rad/sec}\) 時的增益為：
(A) \(\frac{1}{\sqrt{17}}\)
(B) \(\frac{\sqrt{2}}{\sqrt{17}}\)
(C) \(\frac{15}{\sqrt{17}}\)
(D) 0

39. 承(38)題，高頻時的增益約為：
(A) 0 (B) 1 (C) 2 (D) 5

40. 有關大功率 MOSFET 的特性，下列敘述何者有誤？
(A) 無二次崩潰現象
(B) 驅動電流較等功率級之 BJT 為小
(C) 切換速度較等功率級 BJT 為快
(D) 低電流時汲極電流具有負的溫度係數