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90年 - 90 二技統測_電子類、光電類_專業科目(一):電子電路(含實習)#144982
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6. 如圖(三)所示的電路中, V
o
約為︰
(A) 1 V
(B) 1.1 V
(C) 0.1 V
(D) 2 V
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7. 如圖(四)所示的電路中,若 VI = 3 V,則 VE 約為︰(A) 2.1 V (B) 3.1 V (C) 1.1 V (D) 4.1 V
#4042424
8. 如圖(五)所示的電路中,調整 \( V_{BE} \),使得集極直流電流 \( I_C = 1 \) mA,若 \( v_{be} = 0.005 \sin \omega t \) V, 總集極電位(total collector voltage) \( v_C \) 為: (A) \( \sin \omega t \) V (B) \( 5 - 2 \sin \omega t \) V (C) \( 4 + 0.1 \sin \omega t \) V (D) \( 5 \sin \omega t \) V
#4042425
9. 如圖(六)所示的電路中,直流電流 I C 約為︰(A) 1.03 mA (B) 2.28 mA (C) 1.63 mA (D) 2.66 mAvo
#4042426
10. 承(9)題,電壓增益 \( A_v = \left| \frac{v_o}{v_s} \right| \) 約為:(A) 30 (B) 40 (C) 60 (D) 70
#4042427
11. 如圖(七)所示的電路,\(v_d\) 為零平均電壓的小信號,當 \(v_{I1} = \frac{v_d}{2}\),\(v_{I2} = -\frac{v_d}{2}\),其差模增益 (differential-mode gain) \(|\frac{v_o}{v_d}|\) 的大小約為:(A) 600(B) 220(C) 100(D) 55
#4042428
12. 承(11)題,其共模拒斥比(common-mode rejection ratio) \( \left|\frac{A_d}{A_c}\right| \)約為:(A) 88(B) 123(C) 275(D) 300
#4042429
13. 如圖(八)所示的電路中,下列敘述何者有誤?(A) Q2 處在順向主動區(forward active region) (B) VB = 3.17 V(C) VC = 3.62 V (D) VE =3.82 V
#4042430
14. 有一增強型 PMOSFET,其臨界電壓(threshold voltage)為 − 0.2 V,若直流汲極電壓 VD=2V, 直流源極電壓 VS =5 V,直流閘極電壓 VG =1.2 V,則該 PMOSFET 處於何種工作區? (A) 線性區 (B) 飽和區 (C) 截止區 (D) 逆向工作區
#4042431
15. 如圖(九)所示的電路,為利用射極隨耦器所組成的 A 級功率放大器,若電晶體的集極-射極飽和電壓為 0.2 V,則輸出級電路的功率轉換效率(power-conversion efficiency)可能為︰(A) 80 % (B) 60 % (C) 40 % (D) 20 %
#4042432
16. 如圖(十)所示的電路中,直流電壓 Vo = 1 V,則 ID 約為︰(A) 1.03 mA (B) 2.28 mA (C) 0.4 mA (D) 4.0 mA
#4042433
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