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93年 - 93 二技統測_電機類、電子類_專業科目(一):電子學與電路學#144423
> 試題詳解
14. 續第13題:a與b兩端之間的諾頓(Norton)等效電流為何?
(A) 2A
(B) 3A
(C) 6A
(D) 8A\
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相關試題
15. 如圖(九)的電路,在開關閉合前已經達到穩態,則電感器電流i(t)的初始值為何? (A) 0A (B) 1A (C) 3A (D) 5A
#4025861
16. 以下有關半導體特性之敘述,何者錯誤? (A)具有受體雜質的半導體稱為P型半導體 (B)具有施體雜質的半導體稱為N型半導體 (C) 電子的漂移速度比電洞的漂移速度快 (D)在P型半導體中,電子被稱為多數載子
#4025862
17. 如圖(十)為一典型二極體 (diode) 之電流 \(I_D\) 對電壓 \(V_D\) 在三種不同溫度下的特性曲線,試問下列何者正確?(A) \(T_2 > T_1 > T_0\)(B) \(T_2 > T_0 > T_1\)(C) \(T_1 > T_0 > T_2\)(D) \(T_0 > T_1 > T_2\)
#4025863
18. 以下有關雙極性接面電晶體(BJT)的敘述,何者錯誤? (A) 電晶體可作為放大器使用 D TTT (B) 電晶體在主動(active)區時,基極(base)一射極(emitter)接面為反偏(reverse bias),基極-集極(collector)接面為順偏(forward bias) (C) 電晶體在飽和(saturation)區時,基極-射極與基極-集極的兩個接面都是順偏 (D) 電晶體做為開關使用時,是工作在截止(cut-off)區與飽和區。
#4025864
19.對一般雙極性接面電晶體(BJT)而言,要明顯提高其共射極電流增益(common emitter current gain),下述何種措施是正確的? (A)基極寬度變薄 (B) 基極重撥雜 (C) 射極輕 雜 (D)集極重雜
#4025865
20. 如圖(十一)所示之電晶體偏壓電路,已知 C1 = 20 μF, C2 = 20 μF, C3 = 60 μF, R1 = 20 kΩ, R2 = 5 kΩ, R3 = 5 kΩ, R4 = 1 kΩ, β = 100, Ic 電流約為多少?(A) 0.84 mA(B) 1.24 mA(C) 2.14 mA(D) 3.34 mA
#4025866
21. 如圖(十二)所示之電路,假設雙極性接面電晶體的電流增益 $\beta$ 值為 100,電晶體導通時的 $|V_{BE}|=0.7$ V,則 $V_{C2}$ 為何?(A) 0.8 V(B) 1.8 V(C) 2.8 V(D) 3.8 V
#4025867
22. 某一個電晶體,其最大功率散逸 PDo 為3W,在環境溫度 TA0 為25℃,接面溫度可達160℃, 此為最大接面溫度 TJmax,如果現在電晶體功率散逸為1W時環境溫度不變,接面溫度 TJ 約為多少? (A) 50°C (B) 60°C (C) 70°C (D) 80°C
#4025868
23. 若有一長通道(long channel) N 通道增強型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,其 放大器參數為:臨界電壓VTH = 1.5 V 和導電參數Kn = 0.25 mA/V2, V GS=5V, VDS = 6V,已知此電晶體可以忽略基板效應(body effect) 及通道長度調變效應 (channel length modulation effect),試求此電晶體之汲極 (drain) 電流(ID)為多少? (A) 1.08 mA (B) 3.0mA(C) 5.02 mA (D) 6.32 mA
#4025869
24. 如圖(十三)所示的數位電路,其實現的布林函數 (Boolean function) 為何?(A) \( Y = \overline{A+B} \)(B) \( Y = A \bullet B \)(C) \( Y = A+B \)(D) \( Y = A + A \bullet B \)
#4025870
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