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統測◆03電機類、04資電類◆(一)基本電學、基本電學實習、電子學、電子學實習
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99年 - 99 四技二專統測_電機與電子群電機類、電機與電子群電子類_專業科目(一):電子學、基本電學#18237
> 試題詳解
31.a如圖(十五)所示之電路,電晶體 β = 50,切入電壓 V
BE
= 0.7V,則集射極電壓 V
CE
為何?
(A) 5.3V
(B) 6.8V
(C) 7.8V
(D) 9.1V
答案:
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統計:
A(4), B(9), C(26), D(6), E(0) #676684
詳解 (共 1 筆)
pumpkinpie059
B1 · 2022/03/19
#5385463
直流分析電容開路 VBE= VB - ...
(共 200 字,隱藏中)
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32. 如圖(十六)所示之電路,電晶體 β = 100,切入電壓 VBE = 0.7V 且熱電壓 VT = 25mV,則 a 小信號電流增益 IE /IS為何? (A) 1.0 (B) 40.3 (C) 50.7 (D) 65.2 .
#676685
33.a若運算放大器的轉動率( slew rate )為 0.5 V / μs,其輸出訊號為峰值± 5 V 的對稱三角波, 則在不失真的情況下,此訊號頻率最高為何? (A) 20kHz (B) 25kHz (C) 30kHz (D) 50kHz 的
#676686
34.a如圖(十七)所示之電路,JFET 的轉移電導 gm = 6mS,則使電路維持等幅震盪的 RD最小值 約為何? (A) 2.47kΩ (B) 3.51kΩ (C) 4.83kΩ (D) 6.53kΩ
#676687
35.a有一電壓源,其平均值電壓與有效值電壓比約為何? (A) –0.6 (B) 0 (C) 0.75 (D) 1
#676688
36.a下列敘述何者錯誤? (A) 稽納二極體之崩潰電壓與摻雜濃度成正比 (B) 稽納二極體工作在逆向崩潰區才有穩壓功能 (C) 發光二極體屬於冷性發光 (D) 發光二極體由摻雜材料來決定發光顏色
#676689
37.a下列關於一般雙極性接面電晶體之敘述,何者正確? (A) 射極摻雜濃度最低且寬度最窄 (B) 射極摻雜濃度最低且寬度最寬 (C) 集極摻雜濃度最高且寬度最窄 (D) 集極摻雜濃度最低且寬度最寬 的
#676690
38. 如圖(十八)所示之電路,C1之主要功能為何? (A) 隔離直流偏壓 (B) 消除雜訊 (C) 提高輸入阻抗 (D) 隔離交流訊號 圖(十八) 的
#676691
39.a如圖(十九)所示之電路,MOSFET 之臨限電壓 ( threshold voltage ) 為 2 V,閘源極電壓 VGS = 4V 時之汲極電流 ID (on) = 1mA,若汲源極電壓 VDS = 6V,則電阻 RD約為何? (A) 2MΩ (B) 1.5MΩ (C) 2kΩ (D) 1.5kΩ
#676692
40.a如圖(二十)所示之電路,已知 JFET 之 IDSS = 4mA,截止電壓( cutoff voltage ) VGS(off) = –4V,汲極電阻參數 rd = ∞,則 Vo /Vi約為何? (A) –3.4 (B) –5.2 (C) –6.3 (D) –8.1
#676693
41.a如圖(二十一)所示之理想運算放大器電路,在不飽和情況下,電流 I 為何? (A) 0.005mA (B) 0.02mA (C) 0.1mA (D) 0.4mA
#676694
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