題組內容

三、溫度等於 300 K 時，考慮一個矽的 pn 陡接面二極體，其 p 型區的摻雜濃度 N A = 1017 cm -3 ，與 n 型區的摻雜濃度 N D = 1016 cm -3 。已知電子電荷q = 1.6 ✖ 10-19 C；熱電壓 kT /q = 0.026 V；本質載子濃度 ni =1.5 ✖1010 cm -3；ε0 =8.854 ✖ 10-14 F/cm ； ε SiO2 = 3.9ε0； εSi =11.7ε0 。請回答以下兩子題：

(二)逆向偏壓1 V 時，計算此 pn 二極體之電子能障與接面電容？(10 分)

詳解 (共 1 筆)

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詳解 #7590918
2026/10/16
題旨分析 本題屬於半導體 pn 陡接面二...
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