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115年 - 115 警察特種考試_三等_消防警察人員:消防警察專業英文#140933(22題)
115年 - [無官方正解]115 移民行政特種考試_三等_移民行政一般組(選試韓文):外國文(韓文兼試移民專業英文)#140931(25題)
115年 - 115 一般警察特種考試_二等_刑事警察人員數位鑑識組、刑事警察人員電子監察組:資料庫管理與運用#140930(6題)
115年 - 115 一般警察、移民行政、國家安全情報特種考試_三等_各類別、各類科組、各組別:英文#140929(20題)
115年 - 115 警察特種考試_四等_消防警察人員:消防警察專業英文#140928(25題)
115年 - 115 移民行政特種考試_三等_移民行政一般組(選試西班牙文):外國文(西班牙文兼試移民專業英文)#140927(23題)
115年 - 115 一般警察、移民行政特種考試_四等_消防警察人員、移民行政:法學知識(包括中華民國憲法、法學緒論)#140925(30題)
115年 - 115 國家安全情報特種考試_三等_數理組(選試英文):機率統計#140923(14題)
115年 - 115 一般警察、移民行政特種考試_二等_各類別、移民行政:英文#140920(3題)
115年 - 115 一般警察、移民行政特種考試_二等_各類別、移民行政:憲法#140919(2題)
最新試題
50. 下方所列之化學反應是由何種酵素催化? 琥珀酸 + ATP + CoA ≙ 琥珀酸醯 CoA (A) 結合/連接酶 (B) 異構酶 (C) 轉移酶 (D) 製解/解離酶
49. 下列有關細菌生長時期之順序描述,何者正確? (A) 遲滯期 → 對數期 → 靜止期 → 死亡期 (B) 靜止期 → 遲滯期 → 對數期 → 死亡期 (C) 遲滯期 → 靜止期 → 對數期 → 死亡期 (D) 對數期 → 遲滯期 → 靜止期 → 死亡期
48. 台灣於 2010 年發生真空包裝豆乾之中毒事件,與下列何種微生物有關? (A) 肉毒桿菌 (B) 大腸桿菌 (C) 唐菖蒲伯克氏菌 (D) 金黃色葡萄球菌
最新申論題
5. 試述依據「海洋污染防治法」第33條第一項:當船舶發生海難或因其他意外事件,致污染海域或有污染之虞時,船長及船舶所有人應立即採取之措施為何?
4. 船舶火災撲滅作業,一般分為幾個階段,試述之。
3. 試述撲滅B類火災的三基本原則為何?
最新課程
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【Jessie課程】自行編排 APA格式第七版之應用-教育學門論文寫作格式指引
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已畢業碩士生將自身經驗整理出來,傳承給學弟妹,我是參考「教育學門論文寫作格式指引-APA格式第七版之應用...
警專地理-自然地理
講師:
邱廷斌
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為警專入學考試學生準備的地理專業科目
最新主題筆記
總則
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【警鴿】警察偵查犯罪手冊(上)
章節:
第一章 總則
緒論
課程:
國營物理
章節:
緒論
描述:
內容包含: 單位制與物理量 知名物理學家簡介
筆記本123
描述:
筆記本
最新討論
47.下列那些患者不適宜使用aspirin作手術後止痛?①氣喘病患 ②腎功能不良病患 ③授乳中之婦女 (A)僅①② (B)僅②③ (C)僅①③ (D)①②③
72.造成下顎左側向滑動的中心關係干擾(CR interferences)產生的位置,下列敘述何者完全正確?①左側上顎 頰側咬頭舌側斜面接觸左側下顎頰側咬頭頰側斜面 ②左側上顎舌側咬頭舌側斜面接觸左側下顎舌側咬頭頰 側斜面 ③右側上顎舌側咬頭舌側斜面接觸右側下顎舌側咬頭頰側斜面 ④右側上顎頰側咬頭舌側斜面接觸 右側下顎頰側咬頭頰側斜面 (A)①② (B)③④ (C)①③ (D)②④
71.有關中藥葛根之敘述,下列何者錯誤?(A)基原植物之科別為 Fabaceae (B)多為栽培,臺灣產品質優良,產量多 (C)主成分為 lignans 類,具有改善心血管與腦血管循環作用 (D)為辛涼解表藥
11. 塑膠製洗鼻器及洗鼻鹽包組成之洗鼻器組,應歸列那一稅則號別? (A)第 3824.99.99 號「其他化學或相關工業之未列名化學品及化學製品(包括天然產品混合物)」 (B)第 3924.90.00 號「其他塑膠製家庭用製品及衛生保健或盥洗用具」 (C)第 3926.90.90 號「他塑膠製品及第 3901 至 3914 節之材料製成品」 (D)第 9018.90.80 號「其他第 9018 節所屬之貨品」(內科用之用具)
12. 以塑膠基材且均勻塗佈磨料及矽膠彈性體之探針卡用清潔片,供晶圓測試臺上清除、磨光探 針並黏附碎屑,應歸列稅則那一節? (A)第 3919 節「塑膠製自粘性板、片、薄膜、箔、帶、條及其他平面形狀,不論是否成捲者」 (B)第 4016 節「其他硫化橡膠製品,硬質橡膠者除外」 (C)第 6805 節「以紡織材料、紙、紙板或其他材料為基材之天然或人造研磨料,不論是否剪裁 或縫合或另經製作者均在內」 (D)第 8486 節「專供或主要供製造半導體晶柱或晶圓、半導體裝置、積體電路及平面顯示器之 機器及器具;本章註十一(丙)所規範之機器及器具;零件及附件」
(一)請詳述使用靜電足跡採取器(Electrostatic Dust Lifter, EDL)採取此類 潛伏灰塵足跡(Dust Prints)的高壓靜電物理學原理?在操作時,高壓 加載、電壓極性(正負電)與金屬電極/導電膠片的空間排列,如何促 使微量灰塵顆粒發生物理轉印?(13 分)