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政府會計研究

審計學研究

會計審計法規研究(包括預算法、會計法、決算法、審計法等法律及其相關法規)

115年 - 政府採購法之罰則及附則-是非題 201-226（115/08/28 更新）#143708(26題)

115年 - 政府採購法之罰則及附則　是非題 51-100(2026/06/25更新)#143707(50題)

115年 - 政府採購法之罰則及附則_是非題 151-200#143706(50題)

115年 - 115 中央存款保險公司進用正式職員公開甄試試題_際金融事務人員(七職等)、 宣導媒體規劃人員(七職等)：邏輯推理#143705(40題)

115年 - 115 專技高考_不動產估價師：不動產估價實務#143703(3題)

115年 - 115 專技高考_民間之公證人：英文#143702(3題)

115年 - 115 專技高考_會計師：成本會計與管理會計#143701(38題)

115年 - 115 專技高考_會計師：中級會計學#143700(33題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業日文及電子學）：電子學#143699(18題)

115年 - 115 專技高考_專利師（選試專業英文及工程力學）、專利師（選試專業英文及生物技術）、專利師（選試專業英文及電子學）、專利師（選試專業英文及物理化學）、專利師（選試專業英文及工業設計）、專利師（選試專業英文及計算機結構）：專業英文#143698(28題)

146. 以一含內阻之電源提供負載功率，當負載獲得最大輸出功率時，其傳輸效率為何？ 鐵路、國安特考 112 (A)25% (B)50% (C)60% (D)80%

145. 以 KCL 求解右圖示電路時，下列何者為節點 Vb 之正確表示式？ 初等考 114 (A)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 = 0 (B)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 + (Vb – Vc)/R2 + R4 = 0 (C)(Vb – Va)/R1 + Vb /R3 –(Vb – Vc)/R2 = 0 (D)(Vb – Va)/R1 + (Vb – Vc)/R2 = 0

144. 如下圖所示之電路，則電流 I 為多少安培？ 初等考 114 (A) –2 (B)\( \frac{4}{3} \)(C)4 (D)6

四、通過 ISO/IEC 17025 國際標準認證是維持鑑識科學實驗室品質的重要方式之一，該國際標準中要求實驗室對於量測之設備需評估其量測不確定度，試說明何謂「量測不確定度」？並舉例說明 1 種以上評估及計算方式。

三、試說明紅外線攝影及螢光攝影之原理與運用時應注意事項，並各舉一例其技術在刑案現場之應用。

(四)進行指紋比對時，研判兩枚指紋為個化結果之條件，除需紋型相符外，另需達 12 個指紋特徵點相符，其理由何在？(10 分)

國二下英文課程(八年級)

講師：台中大雅家教-睿智數學及英文家教，王瑞志老師

簡介：提供國二下英文單字口訣記憶課程，老師嚴選測驗題，透過影音+講義+測驗，三環相扣的方式，就是要你將英文牢...

國小數學

講師：超強全服亥牙

簡介：教大家數學的一些線索

國中作文-修辭法

講師：侯安澤

簡介：這一個課程是關於修辭法的介紹

企業管理-溝通與衝突

描述：溝通與衝突

企業管理-控制

描述：控制

企業管理-熱門管理理論

描述：熱門管理理論

73.下列那一個輻射源是中子射源？ (A)32P (B)210Pu-Be (C)60Co (D)147Pm-Au

1 在卵受孕過程中，前三週之著床期（preimplantation）過度輻射曝露，最易造成那種後果？ (A)嬰兒患器官發育畸形症 (B)嬰兒患生長遲滯症 (C)後代白血病發生率增加 (D)造成不自知之流產

2. 甲公司以CIF Dubai出口貨物，並依一般慣例投保最低基本險。貨物裝船後，因航經戰區遭受戰爭行為損失。若契約未特別約定加保戰爭險，下列何者最正確？(A) 因為是CIF，故一切風險均由賣方承擔至目的港(B) 因為賣方已投保，所以保險人一定全額理賠(C) 戰爭危險通常非基本險自動承保範圍，未加保時，該部分損失可能由買方自行承擔(D) 買方可主張CIF一律包含戰爭險。

3. 契約書如果某些用語一再出現，為簡化契約書內容，以簡稱代替該用語，或者有些用語定義模糊不明確，為避免解釋上發生歧見，將其意義加以界定，設定為何？(A) 基本條款(B) 一般條款(C) 定義條款(D) 前文。

20.在花店各式花籃的慶賀賀卡上的題辭，下列何者錯誤？ (A)長輩嫁女：摽梅迨吉 (B)好友遷居：良禽擇木 (C)晚輩訂婚：緣定三生 (D)親戚生兒：弄瓦徵祥

(二)請就一 n 型 MOSFET 元件中的 LDD(lightly doped drain) 、halo 與 APT (anti-punch through)等三項離子佈植步驟，說明其主要目的與植入雜質型式(n 型、p 型或均可) 。(15 分)