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研究所、轉學考(插大)◆有機化學
研究所、轉學考(插大)-物化分析
研究所、轉學考(插大)-有機無機
最新試卷
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_化工製程:1 .單元操作 2 .輸送現象#147054(16題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_職業安全衛生:1 .風險評估與管理 2 .人因工程#147047(16題)
115年 - 115 國立臺北大學_碩士班一般入學考試試題_會計學系:成本與管理會計學#147036(16題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_職業安全衛生: 1 .職業安全衛生法規 2 .職業安全衛生管理#147033(50題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_環工:1 .環境管理與空污防制 2 .水處理技術(重複)#147032(16題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電: 1 .電路學 2 .電子學#147030(50題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機:1 .電力系統 2 .電機機械#147029(20題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_建築:1 .建築結構、構造與施工 2 .建築環境控制#147028(50題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_儀電:1 .計算機概論 2 .自動控制#147027(12題)
115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_土木: 1 .大地工程學 2 .結構設計#147026(17題)
最新試題
12. 空間坐標系中,已知 A(3,4,5) ,請問下列選項何者正確? (A) A 點到原點的距離為 5 (B) A 點到 x 軸的距離為√41 (C) A 點到 xy 平面的距離為 7 (D) A 點對 yz 平面的對稱點為 (3, 4, 5)
11. 擲一均勻骰子三次,若每出現一次偶數點得 5 元, 一次奇數點得 1 元,則 所得總額之期望值為多少元? (A)10 (B)9 (C)8 (D)7
10. 三次函數\( f(x) = 2x^3 - 6x^2 + 6x - 2 \),則 f(x) 的對稱中心(反曲點)為何? (A)(0,0) (B)(1,1) (C)(−1,0) (D) (1,0)
最新申論題
(c) Let \( \bar{X}_n = (X_1 + X_2 + \dots + X_n) / n \). Find the moment generating function of \( \bar{X}_n \).
(b) Find the moment generating function of \( X_{i}, i = 1,2,\ldots,n \).
(a) Find the unknown constant \( c \).
最新課程
藥師一階國考 藥理學考題 分章節國考歷屆試題
講師:
菜餅
簡介:
分章節的藥理學國考題,考試科目:藥師國考一階。章節排序參考原文書。
藥物治療學分章題庫彙整(115-2~109-1)
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鋼槍小企鵝(企鵝藥分)
簡介:
二階藥師國考將至,藥治範圍大如海,來看看分章節題庫彙整,有主題性的快速掌握近五年藥治考點。 大章節與...
藥師一階國考 藥劑考題 分章節國考歷屆試題
講師:
菜餅
簡介:
參考考選部公告之命題大綱,分章節的藥劑學練習題,藥學系準備藥師國考一階之試題。 若有錯誤,請告知官網...
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脊髓路徑與神經核筆記
描述:
整理上行與下行路徑,及各神經核比較
教育哲學
描述:
各學派比較
最新討論
17. 關於策略規劃的概念,下列敘述何者錯誤?(A)標竿法 (benchmarking)為策略規劃所應用的技術之一 (B)例行性決策於不 確定狀況下,宜應用客觀機率來作決策 (C)當成長期之產品於市 場處於一般地位時,宜採用市場集中策略 (D)運用情境規劃可以 增進管理者面對各種不確定與風險狀況下之反應力
18. 控制程序可分為四個步驟,請問第一個步驟通常是?(A)建立 目標及標準 (B)建立流程及標準 (C)比較實際結果與目標及 標準 (D)衡量實際績效
19.訓練程序的四步驟的正確順序,是為?(A)決策、評估、設 計、執行 (B)設計、決策、評估、執行 (C)設計、決策、管 理、執行 (D)決策、設計、執行、評估
複選題127. 下列何者是放電加工的優點? (A)可對強韌、硬度極高的導電性材料加工(B)容易完成複雜形狀的加工 (C)加工成本低廉 (D)容易自動化 。
複選題128. 放電加工工件表面之陷坑是放電電弧撞擊後之熔融區,若被加工件為鋼料,則其表面主要會生成 (A)氮化層 (B)淬火層 (C)氧化層 (D)回火層 。
複選題129. 放電加工機的加工液主要功能有 (A)降低放電瞬間之高熱量 (B)清除加工屑渣 (C)達到絕緣效果 (D)增加二次放電效果 。